Home Aze Ru Eng

Тагиров Владимир Исмаил оглы

Тагиров Владимир Исмаил оглы

Член -корр. НАНА, доктор физ.- мат. наук, профессор кафедры физики
полупроводников физического факультета Бакинского Государственного Университета
Рабочий телефон: (994 12) 439 05 15

КРАТКИЕ БИОГРАФИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Родился 5 апреля 1932. в селе Уруд Сисианского района западного Азербайджана.
Среднюю школу окончил в соседнем селе Вагуди.

ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЁНАЯ СТЕПЕНЬ. АКАДЕМИЧЕСКИЙ СТАТУС

В 1951-ом году окончил физический факультет Агдамского двухгодичного института учителей.
В 1956-ом году окончил отделение физики физико-математического факультета Аз. Гос. Университета.
Тема кандидатской диссертации: «Исследование сегрегации, диффузии и растворимости таллия и тантала в монокристаллах германия» Год защиты: 1962
Тема докторской диссертаци: «Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний»
Год защиты: 1972

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

1. Лачинский район, село Пирджахан, учитель физики и математики в средней школе, 1956-57 учебный год
2. Лачинский район, село Джиджимли, учитель физики и математики, 1957-58 учебный год
3. Институт физики АН Азербайджанской Республики:
27/10/1958- 15/12/1958: младший научный сотрудник,
15/12/1958- 15/12/1961: аспирант,
15/12/1961- 24/09/1965: младший научный сотрудник,
24/09/1965- 26/02/1971: старший научный сотрудник,
26/02/1971- 01/09/1974: заведующий лабораторией.
4. 01/09/1974- 31/03/1990, Бакинский Государственный Университет, заведующий кафедрой физики полупроводников
5. 31/03/1990- по настоящее время, профессор той же кафедры.
С какого времени работает в БДУ:
С 1974 г. на кафедре физики полупроводников.
Какие лекции ведет:
Ведет лекции по общему курсу физики, по специальностям «Электронная теория полупроводников» и « Кинетические явления в полупроводниках».
Статьи: более 350
Монографии: 4
Книги: 13
Патенты: 15
Под его руководством защитили: 35 кандидатов и 7 докторов наук.
Осуществляемые им эксперименты и полученные новые результаты:
1. Новый метод получения подпитывающих слитков бинарных твердых растворов.
2. Выращивание монокристаллов твердых растворов Ge-Si с применением подпитывающего слитка, полученного новым методом.
3. Обеспечение двойного легирования монокристаллов твердых растворов Ge-Si
4. Выявление четырех примесных (одного донорного и трех акцепторных) состояний серебра в твердых растворах Ge-Si и исследование каждого из них в отдельности.
Установление механизма отсутствия донорного уровня серебра в германии.

ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ

Поиски новых полупроводниковых материалов с необычными физическими свойствами, исследование их фундаментальных параметров и установление области их применения.

УЧАСТИЕ НА МЕЖДУНАРОДНЫХ СЕМИНАРАХ, СИМПОЗИУМАХ И КОНФЕРЕНЦИЯХ

1. 18-ая международная конференция по фотоэлектронике, 25-28 мая 2004 года, город Москва, выступил с двумя докладами
2. Международная научно-техническая конференция «Информационные и электронные технологии в дистанционном зондировании», 20-23 декабря 2004 года в Баку, выступил с двумя докладами
3. Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии», 23-27 мая 2005 года, Одесса, выступил с двумя докладами.
4. Международная научно-техническая конференция «Микроэлектронные преобразователи и приборы, изготовленные на их основе», Баку-Сумгаит, 2005 год, выступил с двумя докладами
5. Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах», Россия, город Махачкала, 2007 г.

ИЗБРАННЫЕ СТАТЬИ
  1. Тагиров В.И., Тагиров У.В., Джафаров Т.Г., Гахраманов Н.Ф. Выращивание монокристаллов бинарных твердых растворов использованием подпитывающих слитков, полученных новым методом // Доклады НАН Аз.Респ. т 61, №1 2005 Стр. 61-64
  2. Тагиров В.И., Джафаров Т.Г., Гахраманов Н.Ф. Управление составом бинарных твердых растворов при вытягивании монокристаллов из расплава с применением подпитки // Ж.. «Прикладная физика» ФГУП, ВИМИ, Москва 2006, стр. 86-91.
  3. Тагиров В.И., Тагиров У.В., Ибрагимова А.Р., Гахраманов Н.Ф Получение монокристаллов бинарных твердых растворов со ступенчатым распределением состава и примеси //Ж.. «Прикладная физика», Москва 2006, стр. 91-95.
  4. Tagirov V.I., Agamaliyev Z.A., Sadikhova S.R., Guliyev A.F., Gahramanov N.F. Simplified version of calculation of the composition distribution along a single crystal of a binary solid solution obtained by pulling from a feeding melt // Crystallography Reports, 2007, v.52, N 5, pp 923-996.
  5. Тагиров В.И., Садыхова Г.Ф., Гахраманов Н.Ф., Агамалыев З.А., Гулиев А.Ф. Упрощенный вариант расчета распределения состава вдоль монокристаллов бинарных твердых растворов, полученных вытягиванием из подпитываемого расплава «Кристаллография»т. 52, № 5, стр. 923-926, Россия 2007.
КНИГИ
  1. Тагиров В.И., Тагиров Э.В., Гахраманов Н.Ф. Задачи по «Общему курсу физики» (с решениями). «Электрические и магнитные явления». (учебное пособие на азербайджанском языке) Издательство Cумгаитского Гос. Университета, Баку-Сумгаит, 2005, с. 268.
  2. Тагиров В.И., «Оптика». Курс общей физики (учебник на азербайджанском языке) Издательство СГУ, Баку-Сумгаит, 2005, c.500
  3. Тагиров В.И., Тагиров Э.В., Гахраманов Н.Ф. Физика полупроводников (учебник) Издательство СГУ, Сумгаит, 2006, с. 320.
  4. Тагиров В.И., Хомутова М.Д., Бахышов А.Э., Гахраманов Н.Ф. Методы исследования и физические свойства соединений элементов III и VI групп (монография) Издательство СГУ, Сумгаит 2006, с. 500.
  5. Тагиров В.И., Уруд, боль моя (стихи на азербайджанском языке) Издательство СГУ, Сумгаит 2007, с. 240.
Bookmark and Share