Home Aze Ru Eng

Mamedov Rasim Kara оglu

Professor of the Optics and Molecular Physics Department
Office Telephone: (994) 12 438 72 95
Fax: (994) 12 598 33 76
E-mail: rasimaz50@yahoo.com

PERSONAL DATA

01.VI.1950 - was born in the village Narimanly of the Basarkechar regi0on of the Armenian Republic in the employees family.
1967 – graduated from the Narimanly village secondary school with a gold medal, entered Automatics and Computer facilities faculty of the Azerbaijan Technical University.
1971-1972 - continued study in Moscow Institute of Problems of Management and received higher education with the honours diploma.
1976-1979 - Postgraduate student of Baku State University on a speciality “Radiophysics“
He is the chairman of Scientific Council of Physical faculty, a member of Scientific Council BSU, the deputy chairman of doctor's Dissertational Council D.02.012 at BSU, the head of the Scientific - practical Seminar of Physical faculty, a member of an editorial board of magazine “ Bulletin of the Baku University ” and the Union of Republican Journalists. Married, has two sons and a daughter.

EDUCATION AND ACADEMIC DEGREES OBTAINED

2004, doctor of physical and mathematical sciences. Title of thesis: “ Physics of semiconductors and dielectrics ”, Physical Faculty, BSU
1983, candidate of physical and mathematical sciences. Title of thesis: “ Physics of semiconductors and dielectrics ”, Physical faculty, BSU
1976-1979, post-graduate, Physical Faculty, BSU
1967-1972, student, Automatics and Computer facilities Faculty, ATU

COMPLETE PROFESSIONAL BACKGROUND

2004, dean, Physical faculty, BSU
1999-2004, dean assistant, Physical faculty, BSU
2005, professor, Optics and molecular physics chair, Physical faculty, BSU
1990-2005, associate professor, Optics and molecular physics department, Physical faculty, BSU
1985-1990, senior teacher, Optics and molecular physics department, Physical faculty, BSU 1980-1985, teacher, Optics and molecular physics department, Physical faculty, BSU
1972-1974, officer, Soviet Army

PRESENT RESEARCH INTERESTS

The contact phenomena with a surface - potential barrier
Physics of real macro-, micro- and nanocontacts metal - semiconductor with an additional electric field.
The important achievements:

  • The phenomenon of occurrence of an additional electric field in working nearcontact areas of the semiconductor in real (i.e. with homogeneous or inhomogeneous limited contact surface) contacts metal - semiconductor (CMS) because of both heterogeneity, and limitation of a contact surface with free surfaces of metal and the semiconductor was discovered;
  • Working energetic models and mechanisms of current transports in rectifier and ohmic real CMS, and also the new mechanism of premature electric breakdown inherent to CMS diodes are developed;
  • Patents for inventions CMS of the diode without a return current, a solar element on a basis nanoCMS and methods of their manufacturing are received;
  • There was openly new scientific direction in the field of physics and electronics of semiconductors on a theme ” Physics of contacts the metal - semiconductor with an additional electric field ” and the first monograph ” Physics of contacts metal - semiconductor with spots electric field ”, Baku, BSU, 2003, 231 p. is written.;
  • For the first time in 1980 it is established that real CMS will consist of set parallel connected cooperating micro- and nanocontacts, their properties essentially differ from properties of similar macrostructures, and also physical bases of occurrence of such distinction are developed;
  • The candidate's dissertation on a theme “ Influence of emission heterogeneity on physical properties of contacts metal - silicon ” and the doctor's dissertation on a theme “ Physical properties of the real contacts metal - semiconductor ” are written and successfully protected in the field of physics of contact the metal - semiconductor with an additional electric field;
  • 130 scientific works, 35 scientific – publicist article, 1 monography, 3 books, 5 patents and more than 50 scientific reports have been published.

INTERNATIONAL CONFERENCES, SYMPOSIUMS

2008, Ivanovo, Russia; V International scientific conference ” Kinetics and mechanism of crystallization. Crystallization for Nanotechnology”
2008, Kharkov, Ukraine; 1st International Symposium ” Supramolecular and Nanochemistry toward applications ”
2008, Tebriz, Iran; 2nd International Conference “ Nanoscience and Nanotechnology ”
2008, Malaysia; 2nd International Conference “ Functional Materials and Devices ”
2008, 2007, Ulyanovsk, Russia, X International Conference “Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microcircuits ”
2008, 2006, 2004, Pitesti, Romania; International Conference “ Technical and Physical Problems of Power Engineering ”
2008, 2007, Moscow, Russia; XIX International Scientific - technical Conference on photoelectronics and devices of night vision
2008, 2006, 2004, Taganrog, Russia; IX International Scientific - technical Conference “ Actual problems of solid-state electronics and microelectronics ”
2005, Baku, Azerbaijan; I International Scientific Seminar “ Light in Nano-Size Solids ”

LIST OF SELECTED PUBLICATIONS

  1. Мамедов Р.К. Двухбарьерная физическая модель реальных контактов металл-полупроводник.Вестник БГУ, серия физико-математических наук, 2001, № 2, s.84-94
  2. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №1, s.158-165
  3. Məmmədov R.Q. Periferiya effektləri olmadıqda Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №3, s.103-109
  4. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarının kontakt periferiyasında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №4, s.126-132
  5. Məmmədov R.Q. Böyük əks gərginliklərdə Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №5, s.123-129
  6. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarında cərəyan axınının yarımkeçirici aşqarlarının konsentrasiyasından asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №6, s.134-140
  7. Məmmədov R.Q. Əlavə elektrik sahəli Şottki diodlarının fotoelektrik xassələri. Tezis; Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfrans, Moskva, Rusiya, 2004, s.142-143
  8. Məmmədov R.Q. Əlavə elektrik sahəli düzləndirici Şottki diodları.“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, İran, 2004, s.425-427
  9. Məmmədov R.Q. Şottki diodunun kontakt səthinin fəal hissəsinin həndəsi və elektrofiziki parametrləri. “Bərk cisimlər elektronikasının və mikroelektronikanın aktual problemləri” IX Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları, Taqanroq, Rusiya, 2004, s.134-137
  10. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real mikro- və nanokontaktların elektrofiziki xassələri. Works of VII International Conference “Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microcircuits ”, Ulyanovsk, Russia, 2005, p.81
  11. Məmmədov R.Q. Metalın yarımkeçirici ilə mikro- və nanokontaktlarının düzləndirmə xassələri. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnologiya və mikrosxemlər” VIII Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2006, s.214
  12. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktları əsasında günəş elementləri. “Bərk cisimlər elektronikasının və mikroelektronikanın aktual problemləri” IX Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları,Taqanroq, Rusiya, 2006, s.186-189
  13. Məmmədov R.Q. Metal-dielectric-metal strukturlarında cərəyan axınının bəzi xüsusiyyətləri.“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” III Beynalxalq Konfransın Materialları, Türkiyə, 2006, s. 543-547
  14. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici nanokontaktlar əsaslı günəş elementlərinin yeni prinsiplə konstruksiyası. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” IХ Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2007, s.87
  15. Məmmədov R.Q. Nanocontacts metal – semiconductor. Proceedings I International Scientific Seminar "Light in Nano-Size Solids", Baku, 2005, p.63-66
  16. Məmmədov R.Q. Kontakt səthi məhdud olan bircins metal-yarımkeçirici kontaktlarda potensial çəpərin yaranması. AMEA, Fizika, 2007, c.ХIII, №4 , s.192-195
  17. Məmmədov R.Q. Real metal-yarımkeçirici kontaktlar qarşılıqlı təsirdə olan nanokontaktlar toplusu kimi. АМЕА, Fizika, 2007, c.ХIII, № 1-2, s.331-333
  18. Kələndarah Y.A., Muradov M.B., Məmmədov R.Q., Khodayari A. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə formalaşmış CdS nanokristalının bəzi fiziki xassələrinin tədqiqi və böyümə prosesi. Kristal göyərdilməsi Jurnalı, 2007, №305, s.175-180
  19. Kələndarah Y.A., Behboudnia M., Xodayari A., Muradov M.B., Mamedov R.Q. Ultrasəs şüalandırma üsulu ilə sintez olunmuş CdS nanohissəciklərin quruluş, kompozisiya və optic xarakteristikaları. Optoelektronika və mühüm materiallar – Sürətli Kommunikasiya Jurnalı, 2008, c.2, №1, s.42-45
  20. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktların unikal xassələri. Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları. Moskva, Rusiya, 2008, s.198
  21. Mamedov R.Q. Real Şottki diodlarının vaxtındanəvvəl elektrik deşilməsi. .“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” IV Beynalxalq Konfransın Materialları, Pitesti, Ruminya, 2008, s.(IV)25-27
  22. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real makro-, mikro- və nanokontaktlarda elektron proseslərində əlavə elektrik sahəsinin fəal rolu. “Fizikanın Aktual Problemləri” V Respublika Elm Konfransının Materialları, Baki, Azərbajcan, 2008, s.3-5
  23. Məmmədov R.Q. Nəzəri omik, lakin praktiki düzləndirici olan metal – yarımkeçirici kontakt. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” Х Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2008, s.198
  24. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A., G.M.Eyvazova PVA-CdSe nanohissəciklərin ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. Fizika Jurnalı , Cild XIV, 2008, s.41-43
  25. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A. CdS nanokristalların ultrasəs şüalarında formalaşması. “Funksional Materiallar and Cihazlar” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Malazia, 2008, s. A-307
  26. Məmmədov R.Q., Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Hasanov U.R. Səskimyəvi hazırlanmış CdSe/ PVA nanocompozidlərin electrofiziki xassələri. “Nanoelm və Nanotexnoloğiya” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, Iran, 2008, s. 91-92
  27. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M. B., M.Behboudnia, A. Khodayari . CdS nanokristalların ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. ”Supramolecul və Nanokimya tətbiqlərə doğru ” I Beynalxalq Simpoziumun Materialları, Xarkov, Ukrayna, 2008, s.3-7
  28. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M.B., Eyvazova G.M. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə CdS nanokristalının formalaşması və tədqiqi. Bakı Universitetinin xəbərləri, fizika-riyaziyyat seriyası, 2008, № 3, s.132-136
  29. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə alinmış CdS nanokristallarında kvant ölçü effekti. ”Kristallaşma mexanizmi və kinetikası. Nanotexnologiya üçün kristallaşma” V Beynalxalq Elmi Konfransının Materialları, İvanov, Rusiya, 2008, s.47
  30. R.Q.Məmmədov Radiasiyanın düzləndirici real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələrinə təsiri. Radiasiya Problemləri Beynalxalq Konfrans, Bakı,2008, s.45-46
  31. Kələndarah Y.A., Behboudnia M., Xodayari A., Muradov M.B., Mamedov R.Q. Ultrasəs şüalandırma üsulu ilə sintez olunmuş CdS nanohissəciklərin quruluş, kompozisiya və optic xarakteristikaları. Optoelektronika və mühüm materiallar – Sürətli Kommunikasiya Jurnalı, 2008, c.2, №1, s.42-45
  32. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktların unikal xassələri. Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları. Moskva, Rusiya, 2008, s.198
  33. Mamedov R.Q. Real Şottki diodlarının vaxtındanəvvəl elektrik deşilməsi. “Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” IV Beynalxalq Konfransın Materialları, Pitesti, Ruminya, 2008, s.(IV)25-27
  34. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real makro-, mikro- və nanokontaktlarda elektron proseslərində əlavə elektrik sahəsinin fəal rolu. “Fizikanın Aktual Problemləri” V Respublika Elm Konfransının Materialları, Baki, Azərbajcan, 2008, s.3-5
  35. Məmmədov R.Q. Nəzəri omik, lakin praktiki düzləndirici olan metal – yarımkeçirici kontakt. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” Х Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2008, s.198
  36. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A., G.M.Eyvazova PVA-CdSe nanohissəciklərin ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. Fizika Jurnalı , Cild XIV, 2008, s.41-43
  37. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A. CdS nanokristalların ultrasəs şüalarında formalaşması. “Funksional Materiallar and Cihazlar” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Malazia, 2008, s. A-307
  38. Məmmədov R.Q., Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Hasanov U.R. Səskimyəvi hazırlanmış CdSe/ PVA nanocompozidlərin electrofiziki xassələri. “Nanoelm və Nanotexnoloğiya” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, Iran, 2008, s. 91-92
  39. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M. B., M.Behboudnia, A. Khodayari . CdS nanokristalların ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. ”Supramolecul və Nanokimya tətbiqlərə doğru ” I Beynalxalq Simpoziumun Materialları, Xarkov, Ukrayna, 2008, s.3-7
  40. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M.B., Eyvazova G.M. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə CdS nanokristalının formalaşması və tədqiqi. Bakı Universitetinin xəbərləri, fizika-riyaziyyat seriyası, 2008, № 3, s.132-136
  41. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə alinmış CdS nanokristallarında kvant ölçü effekti. ”Kristallaşma mexanizmi və kinetikası. Nanotexnologiya üçün kristallaşma” V Beynalxalq Elmi Konfransının Materialları, İvanov, Rusiya, 2008, s.47
  42. R.Q.Məmmədov Radiasiyanın düzləndirici real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələrinə təsiri. Radiasiya Problemləri Beynalxalq Konfrans, Bakı,2008, s.45-46
  43. Р.К.Мамедов.Особенности токопрохождения в микро- и наноконтактах металл-полупроводник. BDU-90 Yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfransın materialları, Təbiət elmləri seriyası, Bakı, BDU, 2009, s.214-215.
  44. R.Q.Məmmədov, M.A.Yeganeh. Au-nSi Şottki diodlarinin kontakt səthi boyunca qeyri-bircins cərəyan axınının atom qüvvə mikroskopu ilə tədqiqi BDU-90 Yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfransın materialları, Təbiət elmləri seriyası, Bakı, BDU, 2009, s.219.
  45. R.Q.Məmmədov, M.A.Yeganeh, K.Ə.Yusifova. Nanoölçülü kontaktlarla Au-nSi Şottki diodlarinin qeyri-bircinsliyinin tədqiqi. Fizikanın Müasir Problemləri, III Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2009, s.90-91.
  46. R.Q.Məmmədov Ensiz düzləndirici metal – yarimkeçirici kontaktlarda cərəyan axini. Metallar Fizikasının Müasir Problemləri, Respublika Elmi-Praktiki Konfransın materialları, Bakı, AzTU, 2009, s.71
  47. Р.К.Мамедов.Oтсутствие обратного тока микро- и нанодиодов шоттки с дополнительным электрическим полем. Труды ХI Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемъ», Россия, Ульяновск, 2009, с.205.
  48. Mamedov R.Q.Новый принцип создания фотопреобразователей на основе реального контакта металл-полупроводник Тезисы докладов 21 Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2010 с. 155.
  49. M.A.Yeganeh, R.Q.Məmmədov Mikrometr ölçülü enə malik ensiz Şottki diodlarında cərəyan axını«Fizikanın Aktual Problemləri» VI Respublika Elmi Konfransı, Bakı, 2010, s. 46
  50. Mamedov R.Q.Исследование АСМ методикой действующей роли ДЕП в образовании потенциального барьера диодов Шоттки Opto, nanoelektronika və kondensə olunmuş mühit fizikası, Respubluka Elmi-praktik konfrans, Bakı,16-17 dekabr, 2011, s.17-20
  51. Mamedov R.Q. Investiqation of nano patches in Ni/n-Si micro Schottky diodes with new aspect J. Material Science in Semiconductor Processing 2011
  52. Mamedov R.Q. Studing of barier haight and ieality factor relation in the nano sized Au-nSi Schottky diodes J. Superlattices and Microstructures, 50 (2011) s/ 59-68
  53. Mamedov R.Q. Investiqation of nano patches Distribution andTheir Effects on the Ni/n-Si Schottky Diodes Current Transport Properties Journalof Advanced Microscopy Research, 2011, s
  54. Mamedov R.Q. Current transport and foration of energy structures in narrow Au-n GaAs Schottky Diodes J. Microelectronics Reliability 2011, s.
  55. Yeganeh M.A., Məmmədov R.Q., Sh.Rahmatallahpur .Studying ofbarrier height and ideality factor relation in the nano sized Au-n type Si Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, vol.50, july 2011, pages 59-68..
  56. Yeganeh M.A., Sh.Rahmatallahpur., Məmmədov R.Q. Investigation of nano patches in Ni/n-Si micro Schottky diodes with new aspect. Materials Science in Semiconductor Processing, Vol.14, 2011, pages 266-273.
  57. Məmmədov R.Q.Перспективы дэп реалных кмп в микроэлектронике и нанотехнологии. Fizikanın aktual problemləri. VII Respublika Elmi Konfransının materialları.noyabr-2012,s.77
  58. Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A.Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798.
  59. Маmedov R.K., Yeganeh M.A. Current transport and formation of enerdy structures in narrou Au-nGaAs Schottky diodes. J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, N 2, p.418-424
  60. Маmedov R.K., Yeganeh M.A., Novinrooz A.J. Investigation of Nano Patches Distribution and Their Effects on the Current Transport Properties of Ni/n-Si Schottky Diode Journal of Advanced Micriskopy Research, 2012, Vol. 7, 44–50
  61. Маmedov R.K., Yeganeh M.A. Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798
  62. Мамедов Р.К. Явление дополнительного электрического поля в контакте открывает перспективы в микроэлектронике и нанотехнологии. IV Fizikanın Aktual Problemləri, Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2012,77-78
  63. Мамедов Р.К. Непосредственное измерение дополнительного электрического поля в реальных диодах Шоттки. XХII Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2012, 244
  64. Мамедов Р.К., Еганех М.А. Изучение дополнительного электрического поля в Ni - nSi диодах Шоттки методом Атомно – Силовой Микроскопии İX Международной Конференции «КРЕМНИЙ-2012», Санкт – Петербург, 2012,195
  65. Маmedov R.K. Features of the potential barrier and current flowin the narrow Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 60 (2013), 300-342
  66. Маmedov R.K.Yeganeh M.A., Novinruz A.J. Nano inhomogenety effect on small Ag-nSi Schottky diode parameters at high temperature. Journal of Semiconductors, , 2013, v.34, № 8, p. 8-15
  67. Mamedov R.K. Features of additional electric field in real metal - semiconductor contacts. Baku State University News, 2013, No 4, p.128-163
  68. Muradov M.B., Yusifova K.A., Eyvazova G.M., Mammadov R.,K., Salahova A.Z. Study of Dielectric Properties of CdS/PVA Nanocomposites Obtained by Using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction. World Journal Condesid Matter Physics, 2013, v.3, No.1, p.82-86
  69. Маmedov R.K., Yeganeh M.A., Sultanov R.C. Şottki diodlaeının ideallıq əmsalına əlavə elektrik sahəsinin təsiri. Fizikanın Aktual Problemləri, Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2013, s.48
  70. Məmmədov R.Q., Sultanov R.C. Mikro- və nanokompozit materiallar yarimkeçirici cihaz və inteqral sxem texnologiyalarinda, 1st International Chemistry and Chemical Engienaring Conference, Baku, Caucas University, 2013
  71. Мамедов Р.К. Дополнительное электрическое поле в диодах Шоттки с МОП канавкой (TMBS diode). Вестник Бакинского Университета, серия физ. мат. наук, 2014, № 3, с.110-122
  72. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. Электрические токи в контактах металл - полупроводник с дополнительным электрическим полем, Материалы Х Международной Конференции Современных Проблем Физики «Опто- и наноэлектроника, физика конденсированных сред и высоких энергий», Баку, БГУ, 2015, с.212-214

INTERNATIONAL AND DOMESTIC GRANTS, PROGRAMS

International Project “ The influence of an additional electrical field of real silicon Schottky Diodes on their suitability, stability and durability ” - A Grant of the Academy of Sciences for the Developing World (TWAS - 2008)
Republic Project: “ The Electronic phenomena in contacts the metal - semiconductor with an additional electric field and features nanostructure diodes created on their basis”.- Scientific Fund of the Azerbaijan Republic (NASA-2008).

R.K. Mamedov. Features Of Additional Electric Field

In Real Metal - Semiconductor Contacts
Bookmark and Share