Home Aze Ru Eng

АХМЕД ШАХВАЛАД ОГЛЫ АБДИНОВ

Физический факультет, заведующий кафедрой Физической электроники,
доктор физико-математических наук, профессор.

Рабочий телефон:    99412-439-73-73

Е-mail:  [email protected][email protected]

 

КРАТКОЕ АВТОБИОГРАФИЧЕСКОЕ СВЕДЕНИЕ

Родился 30 мая 1945 года в селе Бехруд Ордубадского района Нахичеванской АР. Имеет высшее образование по специальности физик, преподаватель физики. Женат. Имеет 3 детей и 5 внуков. Азербайджанец. Проживает в городе Баку.

образованиЯ, УЧЕНЫЕ СТЕПЕНЬ И ЗВАНИЯ

1968                 Окончил Азербайджанский (теперь Бакинский) Государственный Университет, Физический факультет с «отличием», специальность «физика». Был удостоен стипендии «Ленина», благодаря высокую достижению в области образования
1971                 Физико-Технический Институт АН СССР, Ленинград (Санкт-Петербург) аспирант по специальности «Физическая электроника»
1972                     защитил кандидатскую диссертацию по теме «Природа неосновных горячих носителей в германий». Кандидат физико-математических наук.
1979                 доцент
1979                     защитил докторскую диссертацию по теме «Электронные процессы в неоднородных полупроводниках типа монокристаллов А3B6 со слоистой структурой». Доктор физико-математических наук.
1981                     Профессор

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

1963-1968         Студент физического факультета Бакинского Государственного Университета

1968-1969         Младший научный сотрудник института физики АН Азербайджана

1969-1972                       Аспирант Физико-Технического Института АН СССР (г. Санкт-Петербург)

1972-1975            Ассистент физического факультета Бакинского Государственного Университета

1975-1979            Старший преподаватель физического факультета Бакинского Государственного Университета

1979-1981           Доцент физического факультета Бакинского Государственного Университета

1981-1988           Профессор  физического факультета Бакинского Государственного   Университета

1988-1989         Декан  физического факультета Бакинского Государственного Университета

1989-1992         Профессор физического факультета, научный руководитель и главный научный сотрудник НИЛ «Твердотельной электроники» Бакинского Государственного Университета

1992-1993         Заведующий кафедрой Физической электроники Бакинского    Государственного Университета, научный руководитель и главный научный сотрудник НИЛ «Твердотельной электроники» Бакинского Государственного Университета

1993-2000         Заместитель министра и и.о. министра Образования Азербайджанской Республики, Заведующий кафедрой Физической электроники Бакинского  Государственного Университета

с 2000 года       Заведующий кафедрой Физической электроники Бакинского  Государственного Университета, профессор

научно-педагогические интересы

Общая физика

Твердотельная электроника

Оптоэлектроника

Оптоэлектронные приборы, оборудования и системы

Научная деятельность

Автор 315 научных статей

Автор 5 книг (Учебник и руководства)

Автор 2 патентов

Деятельность в области подготовки высококвалифицированных кадров

Магистры – 5

Кандидаты физико-математических наук – 30

Доктора физико-математических наук – 6

настоящие научные интересы

Изучение особенностей электронных процессов в различных частично-неупорядоченных  кристаллах и тонких пленках, а также структурах на их основе и выяснение механизмов влияния неупорядоченности материала на эти процессы.

государственные премии и почетные звания:

1976     Лауреат премии Комсомола в области науки и техники

1993     Лауреат премии Международного фонда Сороса в области науки

участие в научных конференциях, СЕМИНАРАХ И СИМПОЗИУМАХ

1971, 1975, 1977, 1981,           Международный  симпозиум по неустойчивостям и плазме в

1989                                             твердых телах (Литва, Вильнюс),

1973                                     Международный научный симпозиум «Электролюминесценция и ее применение» (Российская Федерация, Ставрополь),

1973                                     Международная научная конференция  «Проблемы диэлектрической электроники» (Узбекистан, Ташкент),

2000, 2002, 2004, 2006, 2008      Международная научно-техническая конференция по актуальным проблемам твердотельной электроники и микроэлектроники, (Российская Федерация, Таганрог),

2004, 2006                            Международная конференция «Опто-, наноэлектроника, нано-технология и микросистемы», (Российская Федерация, Ульяновск),

2000, 2002, 2004, 2006            Международная научная конференция «Фотоэлектроника и

2008, 2010, 2012                    приборы ночного видения» (Российская Федерация, Москва),

2002, 2004, 2006, 2010            Международная научная конференция «Физические и технические проблемы энергетики» (Азербайджан-Баку, Турция-Анкара, Иран-Тябриз),

2005                                     Международная научная конференция «Физика-2005» (Азербайджан, Баку)

2004, 2005, 2006, 2007            Международный научный симпозиум по материаловедение

2008, 2009, 2010, 2011            (Франция, Страсбург),

2007                                       Международная научная конференция «Электронные и      фононные процессы в полупроводниках» (Азербайджан, Баку).

2008                                   "Актуальные проблемы физики V" Международная научно-практическая конференция (Азербайджан, Баку)

2009                                   Международная научно-практическая конференция, посвященная 90-летию Бакинского Государственного Университета (Баку, Азербайджан)

2010                                   Международная научная конференция Европейского общества Материалы (Польша, Варшава)

научное направление

Электронные процессы в частично-неупорядоченных кристаллах, пленках и структурах на их основе

публикации:

В период 1971 – 2007 годах опубликовал 315 научных трудов в журналах:«Физика и техника полупроводников» (Российская Федерация), «Оптика и спектроскопия» (Российская Федерация), «Микроэлектроника» (Российская Федерация), «Прикладная физика» (Российская Федерация), «Неорганические материалы» (Российская Федерация), «Высокомолекулярные соединения» (Российская Федерация), «Журнал физической химии» (Российская Федерация), «Physics Status Solidi» (Германия),   «Thin Solid films»  (Англия), Japan Journal of Applied Physics (Япония), Journal of Optoelectronics And Advanced Materials (Румыния), SPIE (США) «Доклады АН Азербайджана» (Азербайджан), «Известия АН Азербайджана» (Азербайджан), «Физика» (Азербайджан), «Вестник Бакинского Университета» (Азербайджан).

ПУБЛИКАЦИИ ЗА ПОСЛЕДНИЕ 10 ЛЕТ:

  1. Электрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<NTE>/n-CuInSe2. Проблемы энергетики, 2004, № 2, с.37-44.
  2. Солнечные преобразователи на основе изотипных гетероструктур In2O3/Cd1-xZnxSe/CdSeS  полученных методом электрохимического осаждения. Проблемы энергетики, 2004, № 1, с.64-70
  3. Особенности вольт-амперной характеристики в легированных редкоземельными элементами монокристаллах селенида индия.  Известия НАНА, сер.ФМ и ТН, 2004, XXIV, с.75-80
  4. Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами. Неорганические материалы. 2004, Т.40, № 6, с.660-662
  5. К вопросу о механизме легирования редкоземельными элементами на фотолюминесценцию монокристаллов соединений А3В6 со слоистой структурой. Прикладная физика, 2004, №5. с.74-78
  6. Сенсибилизация ИК фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида  индия электрическим полем. Прикладная физика, 2004, № 5, с.81-85.
  7. Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках  CdS1-xSex, Прикладная физика, 2004, № 3, с.94-97
  8. Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора в ИК области спектра. Прикладная физика, 2004, № 4, с.84-89.
  9. Особенности электрических неустойчивостей в монокристаллах селенида индия, легированных редкоземельными элементами. Известия НАНА, 2005, Т.25, № 5, с.73-77
  10. Получение совершенных пленок Cd1-xZnxS1-ySey электрохимическим осаждением. Известия НАНА, 2005, Т.25, № 2, с.88-92.
  11. Влияние легирования РЗЭ на эффект переключения в слоистых кристаллах соединений А3В6. Известия НАНА, 2005. Т.25, № 4, с.29-35.
  12. Photosensitivity of p-Si/Cd1-xZnxS  heterojunctions manufactured by a method of electrochemical deposition. Thin Solid Films. 2005. V.48, pp.388-391,
  13. Релаксация фотопроводимости химически осажденных пленок CdSeТе  AMEA-nın Xəbərləri, fizika-riyaziyyat və texnika elmləri seriyası, Bakı, 2006, № 2, c.XXVI, s.95-98,.
  14. Сенсибилизированные фотопроводимости в монокристаллах p-GaSe, легированных редкоземельными элементами. Bakı Universitetinin Xəbərləri. Fiz-riy.elmləri seriyasi, 2006, №3, s.151-156.
  15. Фотопроводимость эффективного материала для солнечной энергетики и оптоэлектроники p-GaSe, легированного редкоземельными элементами. Проблемы энергетики, 2006, №3-4, с.39-44.
  16. Электролюминесценция монокристаллов p-GaSe<Dy>. Физика, 2006, № 3, с.8-11.
  17. Влияние легирования РЗЭ на электрические свойства монокристаллов InSe. Неорганические материалы, 2006, Т.42, № 9, с.1-5.
  18. 2006, v.511-512, p.140-142
  19. К вопросу о возможности повышения степени стабильности параметров и характеристик ИК фотоприемников на основе Мо/ CdSSе, Прикладная физика, 2006, № 5, с.82-86.
  20. Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/ Cd0.4Zn0.6S /CdTe изготовленных электрохимическим методом. Физика и техника полупроводников (ФТП), 2006, Т.40, в.12, с.1476-1478.
  21. Влияние легирования редкоземельными элементами на исходную и сенсибилизированную ИК – фоточувствительности слоистых кристаллов селенида индия. Прикладная физика, 2006, № 2, с.62-66.
  22. Особенности статических ВАХ, легированных редкоземельными элементами монокристаллов селенида галлия. Докл.АНАН. 2006. Т. ЛХЫЫ. №5-6. с.55-62.
  23. Электрические и люминесцентные неустойчивости в легированных редкоземельными элементами кристаллах моноселенидов А3В6 со слоистой структурой. Физика, 2007, Т.13, №4, с.136-139.
  24. Heat treatment effects in In2O3/Cd0.4Zn0.6S0.9Se0.1/CdTe  heterojunction solar cells. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2007, v.1, № 9, р.480-483
  25. Investiqation of electrodeposited glass/SnO2/CuInSe2/Cd1-xZnxS1-ySey/ZnO thin solar cells. Japanese journal of Applied Physics, 2007, v.46, № 11, p.7359-7361
  26. Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<Dy>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК-областях. Прикладная физика, 2007, № 1, с.107-110.
  27. Рекомбинационные процессы в пленках CdSeTe, осажденных из раствора. Неорганические материалы, 2007, Т.43, № 3, с.281-283.
  28. Эффект переключения в пленках CdZnSSe, Физика , 2008 , XIV, № 3 , с 107 - 108
  29. Eelectrical conductivity of  RE doped and pure GaSe crystals, Inorganic Materials , 2009, v 45 , № 7, p785 - 789
  30. Electroluminescence properties of AIIIBVI compound crystals doped by lanthanides, News of Baku University , 2010, № 1 , p.121 - 130
  31. Effect of light on the free carriers in the GaSe monoselenides, Azerbaijan Journal Pysics, 2011, № 2 , p51 - 57
  32. Electric field dependence of the free carrier mobility gallium selenide crystals, Semiconductors, 2012 , v. 46, p 751 - 755
  33. Effect of electric field on the intrinsic photoconductivity kinetics of InSe, Inorganic Materials, 2012, v 48, N 8 , p.892 - 896 .
  34. Effect of temperature and doping by RE elements on the carrier mobility in indium monoselenides, Semiconductors, 2013 , v 47, N 6 , p 751 - 755
  35. Effect of Electric field on the conductivity of InSe and InSe(Dy) crystals, Inorganic Materials, 2012 , v48 , N 8 , p.892 - 896 .
  36. Effect of temperature and doping by RE elements on the carrier mobility in indium monoselenides, Semiconductors, 2013 , v 47, N 8 , p 1009 - 1013
  37. Effect of electric field on conductivity of  InSe and InSe(Dy) crystals, Inorganic Materials, 2013 , v49 , № 12 , p1277 - 1284
  38. On the issue of intrinsic photoconductivity properties of gallium monoselenide crystals, Journal of Caucasus University, Physics, 2013 , v.1 , issue 1 , p.16 - 27 .
  39. Effect of temperature and rare earth elements doping on the electrophysical parameters of AIIIBVI crystals with layered structure, Azerbaijan Journal Pysics, 2013 , N 1 , p.17 - 27

СТАТЬИ, ОПУБЛИКОВАННЫЕ В ЖУРНАЛАХ SI

  1. Взаимодействие примесей таллия с кислородом в селене. Журнал физической химии (ЖФХ), 1968, T. XLII, №7, с.1680-1683.
  2. Особенности изменения подвижности неосновных носителей тока в германии в сильных электрических полях. Физика и техника полупроводников (ФТП), 1971, Т.5, №8, с.1563-1567.
  3. Исследование разогрева неосновных носителей тока в германии в условиях сильного электрон-дырочного взаимодействия. ФТП, 1971, Т.5, №10, с.1969-1975.
  4. Термофотоэлектрический эффект при разогреве носителей тока в германии. ФТП, 1972, Т.6, № 2, с.353-359,
  5. Влияние основных носителей тока на подвижность неосновных в германии в импульсных электрических полях. ФТП, 1972, Т. 6, №3, с.447-481.
  6. Изменение подвижности неосновных дырок в германии в сильных СВЧ электрических полях при сильном электрон-дырочном взаимодействии. ФТП, 1972, Т. 6, №3, с.577-578,.
  7. Возникновение термоэдс в однородном полупроводнике (явление Бенедикса) при разогреве носителей тока СВЧ полем в германии. ФТП, 1972, Т. 6, №5, с.915-920,.
  8. Эффект Бенедикса при разогреве неравновесных носителей СВЧ полем в германии. ФТП, 1972, Т.6, № 7, с.1354-1358.
  9. S-elements based GaSe-type laminar semiconductors. Phys.Stat.Solidi (a), 1973, vol. 15, K.33-35.
  10. Об эффекте переключения в p-GaSe. ФТП, 1973, Т.7, №9, с.1830-1833.
  11. Изменение электропроводности р-GaSe в сильных СВЧ электрических полях. ФТП, 1973, Т.7, №10, с.2030-2031.
  12. Термоэдс, обусловленная разогревом носителей тока СВЧ полем в GaSe p-типа. ФТП, 1974, Т.8, №5, с.869-873.
  13. Горячие носители, создаваемые сильным СВЧ электрическим полем в электронном селениде индия. ФТП, 1974, Т. 8, с.192-195.
  14. Эффект переключения в InSe. ФТП, 1974, Т. 8,  № 11, с.2283.
  15. Термоэдс, обусловленная разогревом носителей тока СВЧ электрическим полем в полупроводниковом соединении InSe. ФТП, 1974, Т. 8, №12, с.2311-2315.
  16. Об одном возможном механизме эффекта переключения в слоистых полупроводниковых соединениях А3В6. Микроэлектроника, 1975, Т. 4, №5, с.465-467.
  17. Исследование горячих носителей тока, создаваемых сильным СВЧ электрическим полем в монокристаллах n-InSe. ФТП, 1975, Т. 9, №8, с.1561-1564.
  18. Электролюминесценция  монокристаллов селенида индия. Оптика и спектроскопия, 1975, Т.38, №5, с.952-955.
  19. Электролюминесцентный переключатель из слоистого полупроводника GaS. ФТП, 1975, Т.9, №5, с.980-982.
  20. Инжекция электронов и электронные уровни захвата в высокоомных монокристаллах сульфида галлия. ФТП, 1975, Т.9, №7, с.1429-1431.
  21. Явления фото- и электрической памяти в высокоомных монокристаллах n-InSe. ФТП, 1975, Т.9, № 9, с.1690-1693.
  22. Аномальная фотопроводимость в монокристаллах электронного селенида индия. ФТП, 1975, Т.9, №10, с. 1970-1975.
  23. Эффект фотоэлектрической памяти в р-GaSe. ФТП, 1975, Т.9, №11, с.2135-2138.
  24. Отрицательная остаточная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1975, Т.9, №12, с.2382-2384.
  25. Исследование вольт-амперной характеристики слоистого полупроводника n-InSe. ФТП, 1976, Т.10,  №1, с.76-80.
  26. Отрицательная фотопроводимость и гашение фототока в InSe при примесном возбуждении. ФТП, 1976, Т.10, №1, с.81-84.
  27. Влияние электрического поля на аномальную фотопроводимость в монокристаллах n-InSe. ФТП, 1976, Т.10, №5, с.980-981.
  28. Термоэдс горячих носителей тока в термообработанных монокристаллах сплавов германий-кремний. ФТП, 1976, Т.10, №7, с.1369-1373.
  29. Генерация электрических импульсов монокристаллами селенида индия. ФТП, 1976, Т.10, № 10, с.1973-1975.
  30. Проводимость, стимулированная электрическим полем в высокоомных монокристаллах р-GaSe. ФТП, 1976, Т.10, №13, с.2299-2303.
  31. Разогрев носителей тока сильным СВЧ электрическим полем в термообработанных монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1977, Т.11,  №1, с.65-68.
  32. Горячие электроны, создаваемые сильным СВЧ электрическим полем в Ge1-xSix n-типа. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1005.
  33. Термофотоэдс, обусловленная разогревом носителей тока в монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1977, Т. 11, №5, с.1006.
  34. Разогрев носителя тока СВЧ электрическим полем в монокристаллах германий-кремний р-типа. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1006.
  35. К вопросу аномальной фотопроводимости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1977, Т.11, №2, с.393-396.
  36. Осцилляция тока, индуцированные примесным ИК светом в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.899-903.
  37. О низкочастотной осцилляции тока в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1977, Т.11, №10, с.2026-2029.
  38. Отрицательная фотопроводимость, индуцированная электрическим полем в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1074-1079.
  39. Об электролюминесценции монокристаллов GaS. ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1237.
  40. ИК гашение остаточной фотопроводимости в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1978, Т.12, №6, с. 1237.
  41. Отрицательная остаточная фотопроводимость (ООП) в монокристаллах p-GaSe. ФТП, 1978, Т.12,  №9, с.1759-1766.
  42. Примесная фотопроводимость в GaSe, индуцированная собственной подсветкой. ФТП, 1980, Т.14, №1, с.164-168.
  43. Фототриггерный эффект в монокристаллах селенидов индия и галлия. ФТП, 1980, Т.14, №4, с.749-753.
  44. Температурно-электрическая неустойчивость и низкочастотные колебания тока в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1980, Т.14, №4, с.754,
  45. Фотопроводимость монокристаллов n-CuInSe2. ФТП, 1980, Т.14, №5, с.892-896.
  46. Индуцированная собственной подсветкой примесная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия со свойством остаточной фотопроводимости. ФТП, 1981, Т.15, №7, с. 1255-1258.
  47. Долговременно-релаксирующая проводимость, возбужденная электрическим полем в монокристаллах селенидов галлия и индия. ФТП, 1981, Т.15, №1, с.113-119.
  48. Разогрев носителей тока в монокристаллах CuInSe2 электрическим полем СВЧ. ФТП, 1981, Т.15, №2, с.258-262.
  49. Индуцированный инжекцией примесный пробой в монокристаллах селенида галлия и обусловленные с ним низкочастотные осцилляции тока. ФТП, 1981, Т.15, №3, с.453-458.
  50. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-GaSe и n-CuInSe. ФТП, 1981, Т.15, №3, с.605.
  51. Зависимость электропроводности монокристаллов твердых растворов p-CdхHg1-хTe от напряженности сильного электрического поля СВЧ. ФТП, 1981, Т.15,  №5, с.897-901.
  52. Влияние электронного облучения на разогрев носителей тока электрическим полем в монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1981, Т.15, №10, с.1989-1993.
  53. Край полосы поглощения монокристаллов CuInSe2. ФТП, 1981, Т.15, №11, с.2245-2247.
  54. Электрические и фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходовn-InSe/n-CuInSe2. ФТП, 1982, Т.16, №2, с.353-355.
  55. Электроиндуцированная примесная фотопроводимость в монокристаллах InSe со стимулированной электрическим полем отрицательной фотопроводимостью и остаточной проводимостью. ФТП, 1982, Т.16, №5, с.769-772.
  56. Влияние поперечного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов твердых растворов p-CdxHg1-xTe. ФТП, 1982, Т.16, №5, с.880-882.
  57. Индуцированная электрическим полем примесная фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1982, Т.16, №6, с.953-958.
  58. ВАХ высокоомных монокристаллов слоистых соединений А3В6. ФТП, 1982, Т.16, №6, с.993-998.
  59. Остаточное оптическое гашение собственной фотопроводимости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, Т.16, № 8, с.1523.
  60. Длинновременно релаксирующая отрицательная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, Т.16, № 8, с.1525.
  61. Термоэдс горячих носителей тока, создаваемая сильным электрическим полем СВЧ в облученных быстрыми электронами монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1982, Т.16, №10, с.1828-1830.
  62. Эффект фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1983, Т.17, №4, с.761.
  63. О влиянии флуктуации состава на фотоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора CdxHg1-xTe. ФТП, 1984, Т.18, №6, с.1085-1086.
  64. Effect of gadolinium impurities on injection-induced impurity photoconductivity in InSe single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1985. vol. 92, p.k77-80.
  65. Влияние легирования на оптическое гашение инжекционного тока в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1986, Т.20, №7, с.1347.
  66. Влияние неоднородности состава на электрические и оптические свойства монокристаллов CdxHg1-xTe (0.19<х<0.30). Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1987, Т.23, №11, с.1835-1838.
  67. The influence of gadolinium doping on the switching effect in indium selenide single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1989. vol. 116, p.k173-177.
  68. Effect of doping on exciton states in InSe and GaSe lamellar semiconductors. Phys. Stat. Sol. (a), 1991, vol. 128, p.235-242.
  69. Электрофизические характеристики облученных g-квантами монокристаллов  с 0.24<Х<0.40. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1991, Т.27, №.4, с.696-698.
  70. Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe. ФТП, 1991, Т.25, №6, с.983-989,
  71. «Переходная» релаксация темнового тока в чистых и легированных кристаллах селенида индия. Неорганические материалы. 1994, Т.30, № 3, с.339-341.
  72. Примесный фотоэффект в частично-неупорядоченных кристаллах InSe, легированного Dy. Неорганические материалы. 1994, Т.30, № 7, с.883-886.
  73. Накопление слабых световых сигналов и спектральная память в монокристаллах InSe:Dy. Неорганические материалы. 1995, Т.31, № 7, с.896-898.
  74. Долговременная изотермическая релаксация темнового электросопротивления монокристаллов селенида индия, легированного диспрозием. Неорганические материалы, 1995, Т.31, № 8, с.1020-1022.
  75. Об осцилляции проводимости в монокристаллах InSe<Dy>. Неорганические материалы, 1996, Т.32, № 12, с.1446-1448.
  76. Собственные дефекты и примеси диспрозия в монокристаллах GaSe. Неорганические материалы. 1998, Т.34, № 3, с.271-273.
  77. Влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические свойства монокристаллов селенида галлия. Неорганические материалы. 1999, Т.35, № 4, с.410-412,
  78. Фотопроводимость, осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК области. Прикладная физика. 2000, Т.7, №6, с.56-61.
  79. Фотоприемники ИК-излучения на основе пленок CdS1-xSex осажденных из раствора. Прикладная физика, 2000, Т.7, №6, с.63-68
  80. IR photoconductivity in InSe layered crystals sensitized by electrical field, Proc. SPIE, 2002, v5126, p.381-385
  81. Photoelectric properties of films A2B2C6, deposited from a solution, Proc. оf SPIE. 2004. Vol. 5834. p.254-259.
  82. Photoelectric properties of isotype heterocundoctions n-InSe<REE> in visible and near IR-region, Proceedings of SPIE. 2004. V.5834. p. 260-263.
  83. The effect of doping by rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosen­sivity of layered Indium selenide crystals, Proceedings of SPIE. 2004. V.5834. p. 299-303.
  84. Фотолюминесценция монокристаллов InSe  и GaSe, легированных редкоземельными элементами. Неорганические материалы. 2004, Т.40, № 6, с.660-662.
  85. Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSex. Прикладная физика. 2004, №3 с.94-97.
  86. Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра. Прикладная физика. 2004, №4 с.84-89.
  87. К вопросу о механизме влияния легирования редкоземельными элементами на фотолюминесценцию кристаллов соединения А3В6 со слоистой структурой. Прикладная физика. 2004, №5, с.74-78.
  88. Сенсибилизация ИК фоточувствительности в слоистых кристаллах типа соединений селенида индия электрическим полем. Прикладная физика. 2004, №5, с.81-85.
  89. Photosensitivity of p, n-Si/n-Cd1-xZnxS heterojunctions manufactured by a method of electrochemical deposition. Thin Solid Films, 2005, V.480-481, p.388-391.
  90. Photodetectors for visible and near infrared with controlled sensitivity on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements, Proc. Of SPIE. 2006, Vol. 6636. p-66360G-1-66360G-4
  91. Влияние легирования РЗЭ на электрические свойства монокристаллов InSe. Неорганические материалы. 2006, Т. 42, №9, с. 1035-1039.
  92. Investigation of electrodeposited p-Si/Cd1-xZnxS1-ySey heterojunction solar cells. Thin Solid Films 2006, v.511-512, p.140-142.
  93. К вопросу о возможности повышения степени стабильности параметров и характеристик ИК-фотоприемников на основе Мо/ CdS1-хSех, Прикладная физика, 2006, № 5, с.82-86.
  94. Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/ Cd0.4Zn0.6S /CdTe изготовленных электрохимическим методом. Физика и техника полупроводников (ФТП), 2006,Т.40, № 12, с.1476-1478.
  95. Влияние легирования редкоземельными элементами на исходную и сенсибилизированную ИК–фоточувствительности слоистых кристаллов селенида индия. Прикладная физика, 2006, № 2, с.62-66.
  96. Фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходов n-InSe<Dy>/n-CuInSe2 в видимой и ближней ИК - областях. Прикладная физика, 2007, № 1, с.107-110.
  97. Рекомбинационные процессы в пленках CdSeTe, осажденных из раствора. Неорганические материалы, 2007, Т.43, № 3, с.281-283.
  98. Heat treatment effects in In2O3/Cd0.4Zn0.6S0.9Se0.1/CdTe  heterojunction solar cells. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2007, v.1, № 9, р.480-483
  99. Investigation of electrodeposited glass/SnO2/CuInSe2/Cd1-xZnxS1-ySey/ZnO thin solar cells. Japanese journal of Applied Physics, 2007, v.46, № 11, p.7359-7361
  100. Functional capabilities of CdSe1-xTex films in IR region of the spectrum, Russian Applied Physics, 2008, № 5, p103-106.
  101. Conductivity of doped and pure high ohmic GaSe crystals, Inorganic Materials, 2009, v45, № 7, p785-789
  102. Dielectric properties of nanokomposites on the bases on Copper Sulfide Nanoparticles and polymer matrix, Electronic processing of materials, 2004, , p.105-108
  103. Dependence of carrier mobility in gallium monoselenide crystals on the electric field, Semiconductors, 2012, v46, N.6, p.751-755.
  104. Temperature dependence of carier mobility in pure and doped by gadolinium p-GaSe crystals, Inorganic materials, 2012, v.48, N.6, p.649-653.
  105. Effect of temperature and doping by RE elements on the carrier mobility in indium monoselenides, Semiconductors, 2013 , v 47, N 8 , p 1009 – 1013
  106. Effect of electric field on conductivity of  InSe and InSe(Dy) crystals, Inorganic Materials, 2013, v49 , № 12 , p1277 - 1284

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ РАБОТЫ

2004  «Твердотельная электроника» (на азерб. языке), учебное пособие для ВУЗ-ов. Баку,        «Тяхсил»

2005     «Оптоэлектроника» (на Азерб. языке),  учебник для ВУЗ-ов. Баку, «Маариф»

2008           “История и методология физической электроники” (на Азерб. языке) учебник для ВУЗ-ов. Баку, «Тяхсил»

2009          “Материалы электронной техники и основы нанотехнологии” (на Азерб. языке) учебник для ВУЗ-ов. Баку, «Тяхсил»

2011  “Электронные приборы и основы электронной эмиссии” (на Азерб. языке) учебник для ВУЗ-ов. Баку, «Тяхсил»

МЕТОДИЧЕСКИЕ РАБОТЫ

2007 Сборник программ дисциплин по направлении «Физическая электроника» для бакалавров, Баку, «Тящсил».

2007  Сборник программ дисциплин по направлении «Физическая электроника» для магистров, Баку, «Тящсил».

2008    «История и методология физической электроники» (на азерб. языке), учебное пособие для ВУЗ-ов. Баку, «Тящсил» - 165 стр.

Bookmark and Share