Маариф А. Джафаров

Доктор физико-математических наук,
Профессор кафедры «Физики полупроводников» БГУ
ведущий научный сотрудник Института Физических Проблем БГУ
Раб. телефон:+(994)124390693, e-mail:maarif.jafarov@bsu.az

КОРОТКО О СЕБЕ

1960 Лачин, Азербайджан

ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЕНЫЕ СТЕПЕНИ

В1982-ом году закончил  физический факультет Бакинского Государственного Университета,
К.ф.м.н. 1989, Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-хZnx S, осажденных из раствора  и монокристаллов СdS:Cu n и p типа
Д.ф.м.н, 2007 г.: Электронные процессы в монокристаллах некоторых соединений типа A2B6  и  химически осажденных пленках их твердых растворов.

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

1982-1991г.г.  Научно- Исследовательский Институт Прикладной Физики –инженер-научный сотрудник  
1991-1993 старший научный сотрудник  Института Фотоэлектроники Национальной Академии Наук
1994-2005 г.: заведующий НИЛ Твердотельной электроники
с 2005 г. ведущий научный сотрудник Института Физических Проблем БГУ
с2010г. профессор кафедры «Физики полупроводников» БГУ
220- опубликованных работ, из них до 80 статьи, 40 материалов конверенции, 6 патент,
Под руководительством защитился 2 кандидатских работ
Проводимые исследования могут играть большую роль в получении указанным методом, наноразмерных пленок, наночастиц, наноматериалов,  при изучении вопросов влияния наноразмерных инверсионных каналов на механизм токопрохождения в микроэлектронных структурах, зависимости их выходных параметров и характеристик от наноразмерных включений и кластеров, контролируемых технологическими условиями осаждения.
Выявлены технологические особенности получения пленок Cd1-хZnхS (0<x<0.6), Cd1-хZnхSе (0<x<0.4), CdS1-хSeх (0<x<0.5) и определены энергетический спектр локальных состояний и фоточувствительных центров в этих пленках в зависимости от состава, режимов осаждения и термической обработки. Установлено, что долговременно-релаксирующие фотоэффекты в пленках твердых растворов  А2В6, объясняются на основе модели двухбарьерной модели для пространственно неоднородного полупроводника. Выяснены механизмы генерационно-рекомбинационных процессов и выявлены основные закономерности остаточной проводимости в пленках Cd1-xZnxS, Cd1-xZnxSе на основе модели локальных скоплений примесей (СП). Выявлено, что особенности электронных процессов, обусловливающих различные релаксационные,  стимуляционные и негатронные явления в полученных химическим способом пленках твердых растворов А2В6 и механизм  токопрохождения  в структурах на их основе характеризуются наличием наноразмерного инверсного слоя и образованием наноразмерных включений, а также управляются рекомбинационными барьерами и технологическими условиями их осаждения.  
Установлены особенности влияния термической обработки на открытом воздухе, в вакууме и парах серы,  на электрические и ФЭ свойства р-CdS. Определен дырочный характер объемной проводимости крис¬таллов CdS:Cu, полученных методом термодиффузии. Изучен механизм токопрохождения в МДП структурах Al/Al2О3/ p-CdS. Разработана технология получения пленочных и пленочно-монокристаллических р-n переходов на CdS с коэффициентами выпрямления К=103÷104.
- Установлены механизмы негатронных явлений, наблюдавшихся в пленках твердых растворов А2В6 в зависимости от технологического режима осаждения и термической обработки, а также от анионного и катионного замещения.
Установлены общие закономерности и индивидуальные особенности фотохимической реакции в монокристаллах CdS:Cu и пленках твердых растворов А2В6.
Изучены механизмы токопрохождения в  структурах Ni/Cd1-хZnхS, Ag/CdS1-хSeх, Ag/CdSе1-хТeх и In2O3/Cd1-хZnхSе, Al/Cd1-хZnхSе, Al/CdS1-хSeх, Al/CdSе1-хТeх с различной толщиной диэлектрического слоя.
Определены оптимальные режимы для получения гетеропереходов (ГП) Cu2S- Cd1-хZnхS, Cu2Sе-Cd1-хZnхSе и      Cd1-хZnхS-CdS1-хSeх , Cd1-хZnхS-CdSе1-хТeх с большой площадью.

НАУЧНЫЕ ИНТЕРЕСЫ

Твердотельная Электроника и микроэлектроника, Наноэлектроника, Негатроника, Технология наноразмерных пленок

УЧАСТИЕ В МЕЖДУНАРОДНЫХ КОНФЕРЕНЦИЯХ, СИМПОЗИУМАХ И СЕМИНАРАХ

Основные моменты докладывались на V-Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (Калуга, 1990), IV Всесоюзном совещании по химии и технологии халькогенов и халькогенидов (Караганда, 1986, 1990), Всесоюзной научной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (Ашхабад, 1991), «Всесоюзной научной конференции по глубоким уровням в полупроводниках» (Ташкент, 1991), на научных конференциях «Приборы с отрицательным сопротивлением и интегральные преобразователи на их основе» (ВНТК, Баку, 1991), “Physics of multicomponent semiconductors” (Baku, 1992) и на международных научных конференциях “Solid films and surfaces” (Taiwan, 1994), “Physical problems in material science of semiconductors” (Chernivitsi, 1997, 1999) и “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах” (Ульяновск 1997), на первой Республиканской конференции «Актуальные проблемы физики» (Баку, 1998), Second International symposium on Mathematical computational applications (Baku, 1999), «Актуальные проблемы твердотельной  электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2000, 2002), XVI-XVIII международных научно-технических конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2000, 2002, 2004, 2006) на международной научной конференции «Inorganic Materials» (Santa Barbara, USA, 2000, 2002), на международных научных конференциях «Techniсal and Physical Problems in Power Engineering» (Baku, 2002, Табриз 2004),
Jafarov M.A., Меchtiev N.М. Infrared quenching of photoconductivity in Cd1-хZnхS films deposited from the solution / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivitsi: 1997, p.327.
Jafarov M.A. Noise characteristics of CdZnS films deposited from the solution. / Physical problems in material science of semiconductors, Chernivitsi: 1997, p.278.
Джафаров М.А. Рекомбинационные процессы на глубоких центрах в пленках Cd1-хZnхS / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», Ульяновск: 1997. с.109-110.
Джафаров М.А. Негатронные явления в пленках Cd1-хZnхS, осажденных из раствора. / Международная конференция “Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах”, Ульяновск: 1997.с.111-112.
Jafarov M.A., Mamedov H.M. Study of photoluminescence spectra in p-type CdS. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.141.
Jafarov M.A., Mamedov H.M. Photoelectromagnetic phenomena in CdZnS films deposited from the solutions / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.151
Jafarov M.A, Mamedov H.M. Characterics of CdS:Cu photosensitive films deposited from the solutions. / Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi: 1999, p.284.
Zamanova E.N., Jafarov M.A., Bagirova S.М. Current transport in MOS structures on the base of CdS / Second International symposium on Mathematical computational applications. Baku: / 1999, p.88.
Джафаров М.А.  Пленочный р-п переход на базе CdS. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники / Международная научно-техническая конференция, Таганрог: 2000, с.173-175.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Мамедов Г.М. МДП-структуры на основе пленок CdS1-xSex / Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники.  Труды 8-ой Международной конференции, Таганрог: 2002, с.186.  
Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Физические свойства пленок Cd1-хZnхS, Cd1-хZnхSе и CdS1-хSeх, осажденных из раствора / III Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», СПб.: 2002, с.107.  
Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Mamedov H.M, Nasirov E.F. Special features of electric and photoelectric properties of  Cd1-xZnxS/n-CdS1-xSex  Heterojunctions / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2003.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Преобразователь оптического изображения на основе гетероперехода  Сd1-xZnxS-CdТе1-xSex / XVIII Международная конференция   по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва 2004, c  202-203.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Гетеропереходы на основе пленок А2В2С6, осажденных из раствора / IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» Санкт-Петербург, 2004.
Jafarov M.A., Nasirov E.F. Obtaining of А2В2C6 type thin films by method of chemical deposition / Light in nanosize solide 1 International Scientific Seminar, Baku: 2004, p.35.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Тахмазова А.И. Фотоэлектрические свойства пленок типа А2В2С6, осажденных из раствора. /VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Фотолюминесцентные свойства пленок А2В2C6, осажденных из раствора. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск , 2004.
Abdinov A.Sh., Kazimzade A.H., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Features of electric and photoelectric properties of А2В6 thin films deposited from a solution in micro and nanoelectronics. / Thin film and nano-structured materials for photovoltaic E-MRS Spring Meeting, Strasbourg: 2005, F53/62.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Механизм образования донорно-акцепторных пар в наноразмерных пленках   CdS1-xSex и CdSе1-xТex. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.
Джафаров М.А, Насиров Э.Ф. Некоторые физические свойства пленок Cd1-xZnxS, полученных химическим способом. / VI Международная конференция Опто-, нано-электроника, нанотехнология и микросистемы. Ульяновск, 2006.
M.A.Jafarov, E.F.Nasirov, S.A.Mamedova, S.А.Jahangirova. Negatron Phenomenon in А2В2(6)С6 films Deposited from solution. Thin film and nanostructured materials for photovoltaics. E-MRS Spring Meeting Strasbourg, 2006.
Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Аномальная фотопроводимость в наноразмерных пленках твердых растворов CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.72, Ульяновск, 2007.
Джафаров М.А., Мамедова С.А., Насиров Э.Ф., Получение и физические свойства барьеров Шоттки на основе наноразмерных пленок CdSe1-xTex, IX Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.59, Ульяновск, 2007.
Джафаров М.А., Мехтиев Р.Ф., Насиров Э.Ф., Мамедова С.А., Багиров Р.М. Продольные фотоприемники на основе CdSе1-хТeх , осажденных из раствора. «АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФИЗИКИ» ТРУДЫ пятой междунарордной научно-технической конференции, стр. 320-321., БАКУ, 2008.
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Мехтиев Р.Ф. Кинетика роста и термическая стабильность нанопленок сульфидов кадмия и цинка. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.61, Ульяновск, 2008.
Джафаров М.А., Мамедова С.А., Джахангирова С.А., Насиров Э.Ф. Особенности наноразмерных пленок     CdSе1-хТeх, полученных химическим и электрохимическим методами. X Международная Конференция опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, с.209, Ульяновск, 2008.
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Получение наночастиц сульфоселенида цинка в микроэмульсионных системах Третья Всероссийская конференция по наноматериалам. Екатеринбург, НАНО-2009
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Получение и исследование свойств наноразмерных композитных   материалов на основе сульфидов, XI Международная Конференция опто-нано электроника,  Ульяновск, 2009
M.A.Jafarov, E.F.Nasirov, Photochemical deposition of ZnSSe thin films, EMRS – Strasbourg,  Engineering of wide bandgap semiconductor materials for energy saving 09 May 2011
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф Физические свойства пленок ZnSе1-хSх, осажденных из водного раствора Международная конференция «Актуальные проблемы физики и химии поверхности», 11–13 мая 2011, Киев – Украина
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового  излучения на основе сульфоселенида цинка, XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия,
Джафаров М.А., Получение наночастиц сульфида кадмия p-типа в  эмульсионных системах, Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» Мордова-2012,
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Фотохимическая реакция в наноразмерных пленках твердых   растворов A2B6, осажденных из раствора, Материалы международ ной конференции «Структурная релаксация в твердых телах» Украина-29-31 мая 2012 г.
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Физические свойства нанопленок ZnSе1-хТeх, осажденных из водного раствора, VIII Международная конференция "Аморфные и микрокристаллические полупроводники",  2 - 5 июля 2012 г.  Санкт-Петербург,
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Получение наночастиц p-CdS в эмульсионных системах Вторая конференция стран СНГ Золь-гель синтез и исследование неорганических соединений, гибридных функциональных материалов и дисперсных систем  «Золь-гель-2012», 18-20 сентября 2012 г,
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Solar cells on the bazis heterojunctions p-CdS/p-CdTe/CdZnS, obtained by chemical deposition Международная конференция "Микро- и наноэлектроника - 2012" (ICMNE-2012) г. Звенигород,  с 1 по 5 октября 2012 г, с.217
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Физико-химическая модель эффектов памяти и переключения в тонкопленочных элементах CdSе1-xТex , V Всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем–2012» МЭС-2012
Джафаров М.А., Насиров Э.Ф., Кинетика роста и термическая стабильность наночастиц и пленок сульфо селенидов  кадмия и цинка «Ультрамелкозернистые и наноструктурные материалы – 2012»   8-12 октября 2012 г. Уфа
Джафаров М.А., Люминесцентные материалы на основе нанокристаллов ZnSe/ZnS и CdSe/ZnSe , V Всероссийская конференция по наноматериалам, Nano-2013,  23-27 сентября 2013 г. г. Звенигород
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Investigation of p-GaAs / n-Cd1-xZnxS1-yTey/ZnO Heterojunctions With Nano-Transparent ZnO Electrodes,  The Twenty-first Annual International Conference on  composites/nano engineering (ICCE-21)  Tenerife, Spain  July 21-27, 2013
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Photoelectric properties of thin film p-CdS/n-CdS/n-CdZnSSe heterojunctions. The 9th International Conference on “Technical and Physical Problems of Electrical Engineering” (ICTPE-2013)
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov  Electrochemical deposition p-CdS nanowires. SPIE Optics+Photonics  NanoScience  NanoEngineering Conference 8818 · Functional Nanostructured Thin Films
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov  Preparation and Investigation of Nano-Structured glass/ SnO2/ TiO2/  Cd1-xZnxS1-yTey/CdTe/ graphite Thin Film Solar Cells", PVTC, Thin Films.Advanced Silicon Solution, France, 21-23 may
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov  Nanosized ZnSe1-ХTeХ  films for solar sells. 10th International Conference on Nanosciences & Nanotechnologies (NN13)  9-12 July 2013, Thessaloniki, Greece

СПИСОК НЕКОТОРЫХ НАУЧНЫХ РАБОТ

М.А.Джафаров,  С.А.Мамедова, Э.Ф.Насиров   Отрицательная фотопроводимость в пленках твердых растворов соединений AIIBVI Физика и техника полупроводников, 2014, том 48, вып. 5, с.590-596
М.А.Джафаров,  С.А.Мамедова, Р.Ф.Мехтиев  Негатронные эффекты в пленках CdSe1-xTex и ZnS1-xSex Поверхность. Рентгеновские, синхронотронные и нейтронные исследования, 2014, № 2, с.1-7
М.А.Джафаров, С.А.Мамедова, Р.Ф.Мехтиев Фотопроводимость пленок твердых растворов на основе АIIBVI, осажденных из раствора Неорганические Материалы, 2013, том 49, № 11, с. 1168-1172
M.A.Jafarov, E.F.Nasirov. Preparation of Nanosized A2B6 Compound Multilayer Structures for Solar Cells. Universal Journal of Physics and Application 1(2): 125-129, 2013
M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Nanoscale Structures based on the Zn1-xCdxS. Nanosystems: physics, chemistry, mathematics, 2013, 4 (5), P. 680-689
M.A.Jafarov, E. F.Nasirov Peculiarities of ZnCdSe Nanolayers by Chemical Deposition. Journal of Chemistry and Chemical Engineering, 7(2013) 402-408
М.А.Джафаров, С.А.Джахангирова Е.А.Ханмамедова Фотохимическая реакция в наноразмерных oсажденных из раствора пленках твердых растворов А2В6.   Учебный эксперимент в образовании Научно-методический журнал , 2 (2013), с.65-73.
М.А. Джафаров, Э.Ф. Насиров  Фотохимическая реакция в наноразмерных пленках твердых растворов А2В6, осажденных из раствора. Конденсированные среды и межфазные границы, Том 15, № 3, с. 260-265, 2013
М.А. Джафаров, Э.Ф.Насиров Наноструктурированные материалы на основе сульфида кадмия. Наносистемы: физика, химия, математика, 2012, 3 (6), С. 91–97
М.А. Джафаров, Э.Ф.Насиров Properties of the thin-film solar cells with heterojunctions Cu2S- Cd1-xZnxS and Cu2Se-            Cd1-xZnxSe. Proceeding of SPIE 8470, Thin Film Solar Technology IV, 84700l
М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров Создание и физические свойства гетеропереходов  p-CdTe/n-ZnCdSe. Альтернативная энергия и экология, No 10, Москва, 2012, с. 45 –  49.
M.A.Jafarov, E.F.Nasirov Solar Energy Conversion by Cells using CdZnS and CdTe Films.  Lecture Notes in İnformation Technology. V 13, pp 76-79
М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова , Исследование особенности роста и электрофизических свойств пленок теллурида и сульфида кадмия.  Bakı Universitetinin xəbərləri, Bakı, 2011,  №3, s.
М.А.Джафаров, Э.Ф.Насиров, Р.Ф.Мехтиев, С.А.Мамедова Фотохимическая реакция в наноразмерных пленках твердых   растворов А2В6, осажденных из раствора. Bakı Universitetinin xəbərləri, №1, 2010, s.142-150
М.А.Джафаров, Э.Н.Заманова Фотоэлектрические свойства пленок сульфоселенида цинка, осажденных из раствора. FİZİKA, 2009 CİLD XV, №2, s.189-191
М.А.Джафаров, Э.Н.Заманова, Фотоэлектрические свойства пленок сульфоселенида цинка, осажденных из раствора, Fizika, 2009, CİLD XV №2, s.189-191
М.А.Джафаров,  Э.Н.Заманова,  Магниточувствительные диоды на основеэлектросинтезированных плёнок CuSmS2 Fизика, Бакы, 2008, C.XIV, №3, s.38-40
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок CdSe1-xТеx, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”, Москва, 2008. В.3, с.84-89.
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедова С.А. Рекомбинационные процессы в пленках CdSe1-xTex, осажденных из раствора химическим способом. «Неорганические материалы»  2007. В.3,. c.1-3
Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F., Mammadova S.A. Solar Cells on the base of Cd1-xZnxS/CdSе1-xТex heterojunctions. Technical and Physical Problems in Power Enginering. 2006, p.1072-1074.
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедова С.А «Релаксация проводимости пленок CdSe1-xTex, осажденных из раствора». АМЕА Хябярляри- Fizika-riyaziyyat və texnika elmləri seriyası, 2006,  № 2,  s.95-98
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Отрицательная инфракрасная фотопроводимость в пленках CdS1-xSex, осажденных из раствора // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.3, с.94-97.
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф. Функциональные возможности пленок Cd1-xZnxSe, осажденных из водного раствора, в ИК области спектра // “Прикладная физика”. Москва, 2004. В.4, с.84-89.
Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Photoelectric properties of films А2В2С6, deposited from solution / Proc. SPIE, 2004, v.5834, p.254-259.
Zamanova E.N., Jafarov M.A. Photoconductivity Cd1-xZnxS films, deposited from a water solution. / Second International Conf. on Technical and Physical Problems in Power Engineering. Tabriz 2004, p.408-410.
Джафаров М.А., Мамедов Г.М., Насиров Э.Ф., Рагимова Н.А. Получение и физические свойства изотипных гетеропереходов типа n-Cd1-xZnxS /n-CdS1-xSex / First International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Baku: 2002, p.322-324.
Jafarov M.A.  Photoreceivers of JR radiation on the basis of CdSe:Cu films deposited from solutions / Proc. SPIE. V.4340, p.121-124.
Джафаров М.А. Продольные фотоприемники на основе пленок CdSe:Cu, осажденных из раствора // Прикладная физика. Москва, 2000, в.6, с.68-73.
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А, Насиров Э.Ф., Бабаева Р.Ф., Мамедов Г.М. Фотопроводимость осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe  в ИК области // Прикладная физика Москва, 2000, В.6., с.56-62.
Абдинов А.Ш., Джафаров М.А., Мамедов Г.М, Мехтиев Н.М.,Насиров Э.Ф. Фотоприемники  ИК излучения на основе пленок CdS1-x Sex, осажденных из раствора // Прикладная физика, Москва, 2000, В.6, с.63-67.
Джафаров М.А. Отрицательная фотопроводимость в пленках Cd1-xZnxS, полученных осаждением из водного раствора // Неорг. Мат., 1998, т.34, № 9, с.1034-1036.
Джафаров М.А. Спектральная память в пленках Cd1-xZnxS, осажденных из раствора. // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.3 с.300-302.
Джафаров М.А. Фотоэлектрические свойства пленок Cd1-xZnxS, осажденных из водного раствора // Неорганические Материалы, 1999, т.35, в.11. с.1307-1312.
Jafarov M.A., Mamedov H.M. Recombination processes in Cd1-xZnxS, films deposited from solution // Journal of Physics. Condensed Matter, 124CM/AbC. 1999, р.3245-3248.
Jafarov M.A. About mechanism of conductivity in thin film diode structures based on the basis of Cd1-xZnxS // Journal of Physics. Condensed. Matter. 10СМ\АвС, 1999, р. 984-986.
Zamanova E.N., Jafarov M.A., Mamedov H.M. Effect of heat treatment on electroрhysical and photoelectrical properties of the p-type CdS polikristals // Semiconductor science and Technology, 12sst/abc. 1999, p.1234-1239.
M .А.Джафаров, Эффект переключения в монокристаллах (In2Te3) и (FeTe). Неорганические материалы. 1996, т.32, № 1, с.34-35.
А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Влияние легирования Dy на ФЭ свойства GaSe. Неорганические материалы, 1999, т.35, в.4, с.410-412
А.Ш.Абдинов, M.А.Джафаров, Р.М.Рзаев, Собственные дефекты и примеси диспрозия в GaSe. Неорганические материалы, т.34, № 3, с.271-273.
Заманова Э.Н, Джафаров М.А. Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS:Cu. //ФТП, т.29, в.8, 1995, с.1411-1413.
Заманова Э.Н., Джафаров М.А. Оптический фильтр ИК диапазона на основе монокристалла CdS, легированного медью. // Приборы и техника эксперимента, 1995, № 1, с.129-131.
Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А., Гасанов И.И., Мамедов А.К. Characteristics of CdS:Cu photosensitive films obtained by magnetron sputtering method. // Turkish journal of Physics, 1997, V.21, 2, p.206-211.
Гусейнов Э.К., Джафаров М.А., Насибов И.А. Noise characteristics of Cd1-хZnхS films deposited from the solution. // Turkish journal of Physics. 1997, V.21, 12, p.1255-1259.

КНИГИ

1.А.Г.Кязым-заде, В.М.Салманов, М.А.Джафаров, А.Г.Гусейнов, Р.М.Мамедов. Практикум по физике полупроводников. İSBN 978-9952-435-31-03, Баку-2013,433с (dərs vəsaiti).
2. A.H.Kazımzadə, V.M.Salmanov, A.Z.Abbasova, M.Ə.Cəfərov, Ə.H.Hüseynov, L.H.Həsənova, R.M.Məmmədov. Yarımkeçiricilər fizikası üzrə praktikum. İSBN 978-9952-435-31-03,  Bakı-2013,403с (dərs vəsaiti).
3.A.H.Kazımzadə, V.M.Salmanov, M.Ə.Cəfərov, Ə.H.Hüseynov, L.H.Həsənova, R.M.Məmmədov. Yarımkeçiricilər fizikasından məsələlər. İSBN 978-9952-435-38-2,  Bakı-2014,403с (dərs vəsaiti)
4.M.A.Jafarov, E. F. Nasirov Электронные свойства наноструктированных материалов соединений А2В6. Монография,  LAMBERT Academic Publishing, Германия, 183 стр, 2013

УЧАСТИЕ В ГОСУДАРСТВЕННЫХ И МЕЖДУНАРОДНЫХ ПРОГРАММАХ И ГРАНТЫ

(Dövlət və Beynəlxalq proqram və qrantlarda iştirakı)