Home Aze Ru Eng

Мамедов Расим Кара о.

профессор кафедры оптики и молекулярной физики
Рабочий телефон:(994) 12 438 72 95
E-mail: rasimaz50@yahoo.com


КРАТКИЕ БИОГРАФИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

01.VI.1950 - родился в селе Нариманлы Басаркечарского района Армянской Республики в семе служащего.
1967 - окончив Нариманлинскую сельскую среднюю школу с золотой медалью, поступил на факультет Автоматики и Вычислительной Техники Азербайджанского Технического Университета.
1971-1972 - продолжил учебу в Московском Институте Проблем Управления и получил высшее образование с дипломом отличия.
1976-1979 - учился в аспирантуре Бакинского Государственного Университета по специальности Радиофизика.
Является председателем Научного Совета Физического факультета, членом Научного Совета БГУ, зам. председателя докторского Диссертационного Совета D.02.012 при БГУ, руководителем Научно-Практического Семинара Физического факультета, членом редакционной коллегии журнала “Вестник Бакинского Университета” и Союза Республиканских Журналистов.
Женат, имеет двух сыновей и дочь.

ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЁНАЯ СТЕПЕНЬ. АКАДЕМИЧЕСКИЙ СТАТУС

2004, д.ф.-м.н., “Физика полупроводников и диэлектриков”, Физический факультет, БГУ
1983, к.ф.-м.н., “Физика полупроводников и диэлектриков”, Физический факультет, БГУ
1976-1979, аспирант, Физический факультет, БГУ
1967 - 1972, студент, факультет Автоматики и Вычислительной Техники, ATУ

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

2004, декан, Физический факультет, БГУ
1999 - 2004, заместитель декана, Физический факультет, БГУ
2005, профессор, кафедра Оптики и молекулярной физики, Физический факультет, БГУ
1990-2005, доцент, кафедра Оптики и молекулярной физики, Физический факультет, БГУ
1985-1990, старший преподаватель, кафедра Оптики и молекулярной физики, Физический факультет, БГУ
1980 - 1985, преподаватель, кафедра Оптики и молекулярной физики, Физический факультет, БГУ
1972 – 1974, Офицер Советской Армии

ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ

Контактные явления с поверхностно-потенциальным барьером Физика реальных макро-, микро- и наноконтактов металл – полупроводник с дополнительным электрическим полем. Важные достижения:

  • Сделано открытие явления возникновения дополнительного электрического поля в действующей приконтактной области полупроводника в реальных (т.е. с однородной или неднородной ограниченной контактной поверхностью) контактах металл – полупроводник (КМП) возникающего как вследствие неоднородности, так и вследствие ограниченности контактной поверхности со свободными поверхностями металла и полупроводника;
  • Разработаны действующие энергетические модели и механизмы токопрохождения выпрямляющих и омических реальных КМП, а также новый механизм преждевременного электрического пробоя, присущего КМП-диодам;
  • Получены патенты на изобретения КМП-диода без обратного тока, солнечного элемента на основе нано-КМП и способы их изготовления;
  • Было открыто новое научное направление в области физики и электроники полупроводников по теме ”Физика контактов металл-полупроводник с дополнительным электрическим полем” и написана первая монография ”Физика контактов металл-полупроводник с электрическим полем пятен”, Баку, БГУ, 2003, 231 с.;
  • Впервые еще в 80-е годы установлено, что реальный КМП состоит из совокупности параллельно соединенных взаимодействующих микро- и наноконтактов, свойства которых существенно отличаются от свойств аналогичных макроструктур, а также разработаны физические основы возникновения такого различия;
  • Написана и успешно защищена кандидатская диссертация по теме “Влияние эмиссионной неоднородности на электрофизические свойства контактов металл-кремний” и докторская диссертация по теме “Электрофизические свойства реальных контактов металл-полупроводник” в области физики контакта металл-полупроводник с дополнительным электрическим полем;

Было опубликовано 130 научных работ, 35 научно-публицистических статьей, 1 монография, 3 книги, 5 патентов и боле 50 научных докладов.

УЧАСТИЕ НА МЕЖДУНАРОДНЫХ СЕМИНАРАХ, СИМПОЗИУМАХ И КОНФЕРЕНЦИЯХ

2008, Иваново, Россия; V Международная научная конференция ”Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация для Нанотехнологий”
2008, Харков, Украина; I Международный Симпозиум ”К применению супрамолекул и нанохимии ”
2008, Тебриз, Иран; II Международная Конференция “Нанонаука и нанотехнология”
2008, Малайзия; II Международная Конференция “Функциональные материалы и приборы”
2008,2007, Ульяновск, X Международная Конференция “Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы”
2008, 2006, 2004, Питешти, Руминия; Международная Конференция “Технические и Физические Проблемы в Разработке Энергии”
2008, 2007, Москва, Россия; XIХ Международная Научно-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
2008, 2006, 2004, Таганрог, Россия; IX Международная Научно-Техническая Конференция “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”
2005, Баку, Азербайджан; I Международный Научный Семинар “Свет в Наноразмерных Телах”

ИЗБРАННЫЕ СТАТЬИ

  1. Мамедов Р.К. Двухбарьерная физическая модель реальных контактов металл-полупроводник.Вестник БГУ, серия физико-математических наук, 2001, № 2, s.84-94
  2. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №1, s.158-165
  3. Məmmədov R.Q. Periferiya effektləri olmadıqda Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №3, s.103-109
  4. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarının kontakt periferiyasında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №4, s.126-132
  5. Məmmədov R.Q. Böyük əks gərginliklərdə Şottki diodlarında cərəyan axınının temperatur asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №5, s.123-129
  6. Məmmədov R.Q. Şottki diodlarında cərəyan axınının yarımkeçirici aşqarlarının konsentrasiyasından asılılığı. Tətbiqi fizika, 2003, №6, s.134-140
  7. Məmmədov R.Q. Əlavə elektrik sahəli Şottki diodlarının fotoelektrik xassələri. Tezis; Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfrans, Moskva, Rusiya, 2004, s.142-143
  8. Məmmədov R.Q. Əlavə elektrik sahəli düzləndirici Şottki diodları.“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, İran, 2004, s.425-427
  9. Məmmədov R.Q. Şottki diodunun kontakt səthinin fəal hissəsinin həndəsi və elektrofiziki parametrləri. “Bərk cisimlər elektronikasının və mikroelektronikanın aktual problemləri” IX Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları, Taqanroq, Rusiya, 2004, s.134-137
  10. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real mikro- və nanokontaktların elektrofiziki xassələri. Works of VII International Conference “Opto-, nanoelectronics, nanotechnology and microcircuits ”, Ulyanovsk, Russia, 2005, p.81
  11. Məmmədov R.Q. Metalın yarımkeçirici ilə mikro- və nanokontaktlarının düzləndirmə xassələri. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnologiya və mikrosxemlər” VIII Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2006, s.214
  12. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktları əsasında günəş elementləri. “Bərk cisimlər elektronikasının və mikroelektronikanın aktual problemləri” IX Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları,Taqanroq, Rusiya, 2006, s.186-189
  13. Məmmədov R.Q. Metal-dielectric-metal strukturlarında cərəyan axınının bəzi xüsusiyyətləri.“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” III Beynalxalq Konfransın Materialları, Türkiyə, 2006, s. 543-547
  14. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici nanokontaktlar əsaslı günəş elementlərinin yeni prinsiplə konstruksiyası. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” IХ Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2007, s.87
  15. Məmmədov R.Q. Nanocontacts metal – semiconductor. Proceedings I International Scientific Seminar "Light in Nano-Size Solids", Baku, 2005, p.63-66
  16. Məmmədov R.Q. Kontakt səthi məhdud olan bircins metal-yarımkeçirici kontaktlarda potensial çəpərin yaranması. AMEA, Fizika, 2007, c.ХIII, №4 , s.192-195
  17. Məmmədov R.Q. Real metal-yarımkeçirici kontaktlar qarşılıqlı təsirdə olan nanokontaktlar toplusu kimi. АМЕА, Fizika, 2007, c.ХIII, № 1-2, s.331-333
  18. Kələndarah Y.A., Muradov M.B., Məmmədov R.Q., Khodayari A. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə formalaşmış CdS nanokristalının bəzi fiziki xassələrinin tədqiqi və böyümə prosesi. Kristal göyərdilməsi Jurnalı, 2007, №305, s.175-180
  19. Kələndarah Y.A., Behboudnia M., Xodayari A., Muradov M.B., Mamedov R.Q. Ultrasəs şüalandırma üsulu ilə sintez olunmuş CdS nanohissəciklərin quruluş, kompozisiya və optic xarakteristikaları. Optoelektronika və mühüm materiallar – Sürətli Kommunikasiya Jurnalı, 2008, c.2, №1, s.42-45
  20. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktların unikal xassələri. Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları. Moskva, Rusiya, 2008, s.198
  21. Mamedov R.Q. Real Şottki diodlarının vaxtındanəvvəl elektrik deşilməsi. .“Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” IV Beynalxalq Konfransın Materialları, Pitesti, Ruminya, 2008, s.(IV)25-27
  22. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real makro-, mikro- və nanokontaktlarda elektron proseslərində əlavə elektrik sahəsinin fəal rolu. “Fizikanın Aktual Problemləri” V Respublika Elm Konfransının Materialları, Baki, Azərbajcan, 2008, s.3-5
  23. Məmmədov R.Q. Nəzəri omik, lakin praktiki düzləndirici olan metal – yarımkeçirici kontakt. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” Х Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2008, s.198
  24. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A., G.M.Eyvazova PVA-CdSe nanohissəciklərin ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. Fizika Jurnalı , Cild XIV, 2008, s.41-43
  25. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A. CdS nanokristalların ultrasəs şüalarında formalaşması. “Funksional Materiallar and Cihazlar” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Malazia, 2008, s. A-307
  26. Məmmədov R.Q., Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Hasanov U.R. Səskimyəvi hazırlanmış CdSe/ PVA nanocompozidlərin electrofiziki xassələri. “Nanoelm və Nanotexnoloğiya” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, Iran, 2008, s. 91-92
  27. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M. B., M.Behboudnia, A. Khodayari . CdS nanokristalların ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. ”Supramolecul və Nanokimya tətbiqlərə doğru ” I Beynalxalq Simpoziumun Materialları, Xarkov, Ukrayna, 2008, s.3-7
  28. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M.B., Eyvazova G.M. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə CdS nanokristalının formalaşması və tədqiqi. Bakı Universitetinin xəbərləri, fizika-riyaziyyat seriyası, 2008, № 3, s.132-136
  29. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə alinmış CdS nanokristallarında kvant ölçü effekti. ”Kristallaşma mexanizmi və kinetikası. Nanotexnologiya üçün kristallaşma” V Beynalxalq Elmi Konfransının Materialları, İvanov, Rusiya, 2008, s.47
  30. R.Q.Məmmədov Radiasiyanın düzləndirici real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələrinə təsiri. Radiasiya Problemləri Beynalxalq Konfrans, Bakı,2008, s.45-46
  31. Kələndarah Y.A., Behboudnia M., Xodayari A., Muradov M.B., Mamedov R.Q. Ultrasəs şüalandırma üsulu ilə sintez olunmuş CdS nanohissəciklərin quruluş, kompozisiya və optic xarakteristikaları. Optoelektronika və mühüm materiallar – Sürətli Kommunikasiya Jurnalı, 2008, c.2, №1, s.42-45
  32. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici mikro- və nanokontaktların unikal xassələri. Fotoelektronika və gecə görmə cihazları üzrə XIХ Beynalxalq Elmi – Texniki Konfransın Materialları. Moskva, Rusiya, 2008, s.198
  33. Mamedov R.Q. Real Şottki diodlarının vaxtındanəvvəl elektrik deşilməsi. “Enerji işləmələrinin texniki və fiziki problemləri” IV Beynalxalq Konfransın Materialları, Pitesti, Ruminya, 2008, s.(IV)25-27
  34. Məmmədov R.Q. Metal – yarımkeçirici real makro-, mikro- və nanokontaktlarda elektron proseslərində əlavə elektrik sahəsinin fəal rolu. “Fizikanın Aktual Problemləri” V Respublika Elm Konfransının Materialları, Baki, Azərbajcan, 2008, s.3-5
  35. Məmmədov R.Q. Nəzəri omik, lakin praktiki düzləndirici olan metal – yarımkeçirici kontakt. “Оptо-, nanoelektronika, nanotexnoloğiya və mikrosxemlər” Х Beynalxalq Konfransın Materialları, Ulyanovsk, Rusiya, 2008, s.198
  36. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A., G.M.Eyvazova PVA-CdSe nanohissəciklərin ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. Fizika Jurnalı , Cild XIV, 2008, s.41-43
  37. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q., Xodayari A. CdS nanokristalların ultrasəs şüalarında formalaşması. “Funksional Materiallar and Cihazlar” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Malazia, 2008, s. A-307
  38. Məmmədov R.Q., Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Hasanov U.R. Səskimyəvi hazırlanmış CdSe/ PVA nanocompozidlərin electrofiziki xassələri. “Nanoelm və Nanotexnoloğiya” II Beynalxalq Konfransın Materialları, Təbriz, Iran, 2008, s. 91-92
  39. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M. B., M.Behboudnia, A. Khodayari . CdS nanokristalların ultrasəs dalğalarının təsiri altında formalaşması. ”Supramolecul və Nanokimya tətbiqlərə doğru ” I Beynalxalq Simpoziumun Materialları, Xarkov, Ukrayna, 2008, s.3-7
  40. Kələndarah Y.A., Məmmədov R.Q., Muradov M.B., Eyvazova G.M. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə polimer matrisdə CdS nanokristalının formalaşması və tədqiqi. Bakı Universitetinin xəbərləri, fizika-riyaziyyat seriyası, 2008, № 3, s.132-136
  41. Kələndarah Y.A., Muradov M. B., Məmmədov R.Q. Növbəli laylı ion adsorbsiyası və reaksiyası üsulu ilə alinmış CdS nanokristallarında kvant ölçü effekti. ”Kristallaşma mexanizmi və kinetikası. Nanotexnologiya üçün kristallaşma” V Beynalxalq Elmi Konfransının Materialları, İvanov, Rusiya, 2008, s.47
  42. R.Q.Məmmədov Radiasiyanın düzləndirici real metal – yarımkeçirici kontaktların elektrofiziki xassələrinə təsiri. Radiasiya Problemləri Beynalxalq Konfrans, Bakı,2008, s.45-46
  43. Р.К.Мамедов.Особенности токопрохождения в микро- и наноконтактах металл-полупроводник. BDU-90 Yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfransın materialları, Təbiət elmləri seriyası, Bakı, BDU, 2009, s.214-215.
  44. R.Q.Məmmədov, M.A.Yeganeh. Au-nSi Şottki diodlarinin kontakt səthi boyunca qeyri-bircins cərəyan axınının atom qüvvə mikroskopu ilə tədqiqi BDU-90 Yubileyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi Konfransın materialları, Təbiət elmləri seriyası, Bakı, BDU, 2009, s.219.
  45. R.Q.Məmmədov, M.A.Yeganeh, K.Ə.Yusifova. Nanoölçülü kontaktlarla Au-nSi Şottki diodlarinin qeyri-bircinsliyinin tədqiqi. Fizikanın Müasir Problemləri, III Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2009, s.90-91.
  46. R.Q.Məmmədov Ensiz düzləndirici metal – yarimkeçirici kontaktlarda cərəyan axini. Metallar Fizikasının Müasir Problemləri, Respublika Elmi-Praktiki Konfransın materialları, Bakı, AzTU, 2009, s.71
  47. Р.К.Мамедов.Oтсутствие обратного тока микро- и нанодиодов шоттки с дополнительным электрическим полем. Труды ХI Международной Конференция «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемъ», Россия, Ульяновск, 2009, с.205.
  48. Mamedov R.Q.Новый принцип создания фотопреобразователей на основе реального контакта металл-полупроводник Тезисы докладов 21 Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2010 с. 155.
  49. M.A.Yeganeh, R.Q.Məmmədov Mikrometr ölçülü enə malik ensiz Şottki diodlarında cərəyan axını«Fizikanın Aktual Problemləri» VI Respublika Elmi Konfransı, Bakı, 2010, s. 46
  50. Mamedov R.Q.Исследование АСМ методикой действующей роли ДЕП в образовании потенциального барьера диодов Шоттки Opto, nanoelektronika və kondensə olunmuş mühit fizikası, Respubluka Elmi-praktik konfrans, Bakı,16-17 dekabr, 2011, s.17-20
  51. Mamedov R.Q. Investiqation of nano patches in Ni/n-Si micro Schottky diodes with new aspect J. Material Science in Semiconductor Processing 2011
  52. Mamedov R.Q. Studing of barier haight and ieality factor relation in the nano sized Au-nSi Schottky diodes J. Superlattices and Microstructures, 50 (2011) s/ 59-68
  53. Mamedov R.Q. Investiqation of nano patches Distribution andTheir Effects on the Ni/n-Si Schottky Diodes Current Transport Properties Journalof Advanced Microscopy Research, 2011, s
  54. Mamedov R.Q. Current transport and foration of energy structures in narrow Au-n GaAs Schottky Diodes J. Microelectronics Reliability 2011, s.
  55. Yeganeh M.A., Məmmədov R.Q., Sh.Rahmatallahpur .Studying ofbarrier height and ideality factor relation in the nano sized Au-n type Si Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, vol.50, july 2011, pages 59-68..
  56. Yeganeh M.A., Sh.Rahmatallahpur., Məmmədov R.Q. Investigation of nano patches in Ni/n-Si micro Schottky diodes with new aspect. Materials Science in Semiconductor Processing, Vol.14, 2011, pages 266-273.
  57. Məmmədov R.Q.Перспективы дэп реалных кмп в микроэлектронике и нанотехнологии. Fizikanın aktual problemləri. VII Respublika Elmi Konfransının materialları.noyabr-2012,s.77
  58. Məmmədov R.Q., Yeganeh M.A.Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798.
  59. Маmedov R.K., Yeganeh M.A. Current transport and formation of enerdy structures in narrou Au-nGaAs Schottky diodes. J. Microelectronics Reliability, 2012, v.52, N 2, p.418-424
  60. Маmedov R.K., Yeganeh M.A., Novinrooz A.J. Investigation of Nano Patches Distribution and Their Effects on the Current Transport Properties of Ni/n-Si Schottky Diode Journal of Advanced Micriskopy Research, 2012, Vol. 7, 44–50
  61. Маmedov R.K., Yeganeh M.A. Difference in the electric behavior of micro- and nano Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 51 (2012), 792-798
  62. Мамедов Р.К. Явление дополнительного электрического поля в контакте открывает перспективы в микроэлектронике и нанотехнологии. IV Fizikanın Aktual Problemləri, Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2012,77-78
  63. Мамедов Р.К. Непосредственное измерение дополнительного электрического поля в реальных диодах Шоттки. XХII Международная Научная-Техническая Конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2012, 244
  64. Мамедов Р.К., Еганех М.А. Изучение дополнительного электрического поля в Ni - nSi диодах Шоттки методом Атомно – Силовой Микроскопии İX Международной Конференции «КРЕМНИЙ-2012», Санкт – Петербург, 2012,195
  65. Маmedov R.K. Features of the potential barrier and current flowin the narrow Schottky diodes. J. Superlattices and Microstructures, 60 (2013), 300-342
  66. Маmedov R.K.Yeganeh M.A., Novinruz A.J. Nano inhomogenety effect on small Ag-nSi Schottky diode parameters at high temperature. Journal of Semiconductors, , 2013, v.34, № 8, p. 8-15
  67. Мамедов Р.К. Особенности дополнительного электрического поля в реальном контакте металл - полупроводник. Вестник БГУ, серия физ.мат.наук, 2013, № 4,c.128-163
  68. Muradov M.B., Yusifova K.A., Eyvazova G.M., Mammadov R.,K., Salahova A.Z. Study of Dielectric Properties of CdS/PVA Nanocomposites Obtained by Using Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction. World Journal Condesid Matter Physics, 2013, v.3, No.1, p.82-86
  69. Маmedov R.K., Yeganeh M.A., Sultanov R.C. Şottki diodlaeının ideallıq əmsalına əlavə elektrik sahəsinin təsiri. Fizikanın Aktual Problemləri, Respublika Elmi Konfransın materialları, Bakı,BDU,2013, s.48
  70. Məmmədov R.Q., Sultanov R.C. Mikro- və nanokompozit materiallar yarimkeçirici cihaz və inteqral sxem texnologiyalarinda, 1st International Chemistry and Chemical Engienaring Conference, Baku, Caucas University, 2013
  71. Мамедов Р.К. Дополнительное электрическое поле в диодах Шоттки с МОП канавкой (TMBS diode). Вестник Бакинского Университета, серия физ. мат. наук, 2014, № 3, с.110-122
  72. Мамедов Р.К., Асланова А.Р. Электрические токи в контактах металл - полупроводник с дополнительным электрическим полем, Материалы Х Международной Конференции Современных Проблем Физики «Опто- и наноэлектроника, физика конденсированных сред и высоких энергий», Баку, БГУ, 2015, с.212-214


AВТОРЕФЕРАТ

УЧАСТИЕ В ГОСУДАРСТВЕННЫХ И МЕЖДУНАРОДНЫХ ПРОГРАММАХ И ГРАНТЫ

Международный Проект: “Влияние дополнительного электрического поля реальных кремниевых диодов Шоттки на их пригодность, стабильность и долговечность” – Грант Академии Науки для Развивающихся Стран (ТУАС - 2008)
Республиканский Проект: “Электронные явления в контактах металл-полупроводник с дополнительным электрическим полем и особенности наноструктурных диодов, созданных на их основе” - Научный Фонд Азербайджанской Республики (НАНА -2008).

Bookmark and Share