МУСТАФА НУХБАЛА ОГЛЫ АГАЕВ

МУСТАФА НУХБАЛА ОГЛЫ АГАЕВ

Ученая степень и настоящая должность в БГУ
Кандидат физико-математических наук, и.о. доц., кафедры Физической электроники
Рабочий телефон: 99412-439-73-73

КРАТКИЕ БИОГРАФИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

Родился 2-го июня 1950-го года в с.Кобу. Азербайджанец, Женат, имеет 3-х детей.

ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЁНАЯ СТЕПЕНЬ. АКАДЕМИЧЕСКИЙ СТАТУС

1974-1980 Студент Физического факультета Бакинского Государственного Университета
1985-1990 Диссертант кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета
1993 Защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико0-математичесих наук по теме: Волна ионизации в длинной трубке с переменной по длине распределенной емкостью.

ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ

1972-1979 Радиотехник кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета
1979 – 1987 Инженер – механик кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета
1987-1996 Ст. инженер – механик кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета
2002 - 2007 Ассистент кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета,
2007 Преподаватель кафедры Физической электроники Бакинского Государственного Университета
Преподаваемые дисциплины
Радиоэлектроника
Электронная технология и схемотехника
Радиофизика

ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ

Диоды Шоттки, солнечное элементы

УЧАСТИЕ НА МЕЖДУНАРОДНЫХ СЕМИНАРАХ, СИМПОЗИУМАХ И КОНФЕРЕНЦИЯХ

1986 III Всесоюзая конференция по физике газового разряда, Киев
1988 IV Всесоюзая конферениция по физике газового разряда, Махачкала
1992 VI Всесоюзая конферениция по физике газового разряда, Казань

ИЗБРАННЫЕ СТАТЬИ

1. p-Si ilə Ag metallaşmasından alınan p-n keçidi əsasında hazırlanmış günəş elementinin tədqiqi. Bakı Universitetinin xəbərləri. Fizika-riyaziyyat elmləri seriyası. № 1, səh.164, 2003.
2. Silisium günəş elementinin fotohəssaslığı. Jurnal «Energetikanın problemləri», № 4, 2003, s.74-76.
3. Silisium günəş elementinin effektivliyinin baryerin hündürlüyündən asılılığı. Energetikanın problemləri, № 1, 2004, səh.71-73
4. İonlaşma dalğasının arxa cəbhəsindəki rəqslərin xarakteri. «Fizikanın aktual problemləri», III Respublika Elmi konfransının materialları, Bakı, 2004, s.100
5. Askerov Sh.G., Agaev M.N. İşləmə müddəti böyük olan silisium fotoceviricilərinin alınma texnologiyası. Optoelectronics, 2005, v.8, N 3, p.101-104
6. Г.М.Мамедов, М.А.Агаев, М.Г.Гасанов, В.Г.Сафаров Влияние одноосной деформации на оптические свойства твердого раствора Труды Международной конференции, «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логия и микросистемы», Ульяновск, 2014, с.121-122
7.Э.С.Гараев, М.Н.Агаев, В.Г.Сафаров, М.Г.Гасанов, Л.К.Абдуллаева Зависимость эффективности кремниевых солнечных элементов Труды Международной конференции, «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логия и микросистемы», Ульяновск, 2014, с.181-182.
8.  Гусейнов Т. Х., Агаев М. Н., Расулов Э. А. Релаксация электронов в двойном слое в плазме ртутного разряда - международный научн.-техничес. журнал “Вимирювальна та  Обчислювальна Техника в Технологичних Процесах”, Украйна, 2015, № 4 (53), с. 75-78