ВАГИФ ГУСЕЙНГУЛУ ОГЛЫ САФАРОВ
ВАГИФ ГУСЕЙНГУЛУ ОГЛЫ САФАРОВ
Ученая степень и занимаемая должность в БГУ
Кандидат физико-математических наук, доцент
Рабочий телефон: 99412-439-73-73
E-mail: hvaqif@mail.ru
КРАТКИЕ БИОГРАФИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Родился 5 марта 1941 года в городе Шамахе Азербайджанской Республики, физик, преподаватель физики с высшим образованием. Женат. Имеет двоих детей. Азербайджанец. Проживает в городе Баку.
ОБРАЗОВАНИЕ И УЧЁНАЯ СТЕПЕНЬ. АКАДЕМИЧЕСКИЙ СТАТУС
1958 - 1963 Бакинский Государственный Университет, студент физического факультета
1969 - 1972 Бакинский Государственный Университет, аспирант кафедры физика полупроводников
1979 Защитил кандидатскую диссертацию по теме: Исследование оптических и фотоэлектрических свойств халькогенидов галлия и их твердых растворов с халькогенидами иттербия и висмута, при низких и высоких уровнях возбуждения
1990 Бакинский Государственный Университет, аспирант кафедры физической электроники
ТРУДОВАЯ ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ
1967-1969 Инженер кафедры молекулярной физики, Бакинский Государственный Университет, Азербайджан
1969-1972 Очный аспирант кафедры физики полупроводников, Бакинский Государственный Университет
1972-1982 Зав. лабораторией кафедры физической электроники. Бакинский Государственный Университет
1982-1984 Ассистент кафедры физической электроники. Бакинский Государственный Университет
1984-1990 Старший преподаватель кафедры физической электроники. Бакинский Государственный Университет,
1990 доцент кафедры физической электроники. Физический факультет. Бакинский Государственный Университет
Какие дисциплины ведет:
Общая физика, Радиофизика, Материалы электронной техники, Физика твердого тела, Материаловедение.
Является автором 60 научных статьей и 9 патентов
ОБЪЕКТ ИССЛЕДОВАНИЯ
Получение методом электрохимического осаждения пленок полупроводников типа А2B6 и изготовление эффективных структур различного применения на их основе
УЧАСТИЕ НА МЕЖДУНАРОДНЫХ СЕМИНАРАХ, СИМПОЗИУМАХ И КОНФЕРЕНЦИЯХ
2006 – TRE-063 International Conference on “Technical and Physical and Physical Problems in Power Engineering (Турция)
2008 –Актуальные проблемы физики. V Международная научно-техническая конференция (Баку).
ИЗБРАННЫЕ СТАТЬИ
1. CaGa2Se4 kristalının fotoelektrik xassəsi. BDU-nun xəbərləri məcmuəsi, 4, səh.125, 2003
2. As2Se3-As2Te3 şüşəvari birləşmə sisteminin istilik keçiriciliyi. Bakı Universitetinin Xəbrləri. № 2, s.130-135, 2008
3. n-CdZnSSe nazik lövhələrdə aşırma effekti. Fizika, c.XIV, b.3, s.107-108, 2008
4. İkifotonlu həyəcanlaşmada qallium sulfiddə rekombinasiya şüalanması. ФТП. т.6, стр.2258, 1972
5. GaSx Se1-x-də ikifotonlu udulmanın ölçülməsi. ФТП т. II, в.I , стр.132, 1977
6. (GaS)1-x (Bi2S3)x (x=0,005¸ 0,03) bərk məhlulunda fotokeçiricilik və optik udulma. ФТП т.9, стр.1840, 1978
7. - şüalanmış günəş elementərinin ultrasəslə emalı. «Гелиотехника», № 2, стр.17-21, 2006
8. Сафаров В.Г. Аллахвердиев Ш.А., Гараев Э.С., Магеррамов Э.М. Возможность изготовления фотоприемников на основе соединений CaGaSe4 Труды XV-той Международной конференции «Опто-, наноэлек-троника, нанотехнологии микросистемы», Ульяновск, 2012, с.181.
9. Сафаров В.Г., Гараев Э.С., Нуруллаев Ю.Г. Некоторые особенности анизотропии свойств кристаллов халькогениды галлий Труды ХV-той Межд. конф. «Опто-, наноэлектроника, нано-технологии микросистемы», Ульяновск, 2012, с.182
10. В.Г.Сафаров, Г.М.Мамедов, М.Н.Агаев , Э.С.Гараев Влияние одноосной деформации (удлинение) на свойства Cd1-x ZnxTe Опто- наноэлектроника, нанотехно-логии и микросистемы. Труды XIV-той Международной конференции. Ульяновск, 2013, ст.262-26
11. В.Г.Сафаров, Г.М.Мамедов, М.А.Агаев, М.Г.Гасанов Влияние одноосной деформации на оптические свойства твердого раствора …Труды Международной конференции, «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логия и микросистемы», Ульяновск, 2014, с.121-122
12. Э.С.Гараев, М.Н.Агаев, В.Г.Сафаров, М.Г.Гасанов, Л.К.Абдуллаева Зависимость эффективности кремниевых солнечных элементов Труды Международной конференции, «Опто-, наноэлектроника, нанотехно-логия и микросистемы», Ульяновск, 2014, с.181-182
