Home Aze Ru Eng

Abdinov Əhməd Şahvələd oglu

Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor, Nyuyork Elmlər Akademiyasının həqiqi üzvü,
Bakı Dövlət Universitetinin“Fiziki elektronika” kafedrasının müdiri
Bakı Dövlət Universiteti, Z.Xəlilov küç., 23, Bakı şəhəri, Azərbaycan,

İş telefonu: 99412-539-73-73
E-mail: [email protected] [email protected]

QISA BİOQRAFİK MƏLUMAT

30 may 1945-ci ildə Azərbaycan Respublikasi, Ordubad rayonu, Behrud kəndində anadan olub, ali təhsilli fizik, fizika müəllimidir; ailəlidir, 3 övladı və 5 nəvəsi var. Azərbaycanlıdır, Bakı şəhərində yaşayir.

TƏHSİLİ, ELMİ DƏRƏCƏSİ VƏ ELMİ ADLARI

1968 Azərbaycan (indiki Bakı) Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini “Fərqlənmə diplomu” ilə bitirib.
Tələbə olarkən təhsildəki yüksək göstəricilərinə görə “Lenin” təqaüdünə layiq görülüb
1971 SSRİ (indiki RF) Elmlər Akademiyasının Fizika-Тexnika Institutunun (Sankt-Peterburq şəhəri) aspiranturasını bitirib.
1972 “Germanium yarımkeçiricisində qeyri-əsas qızmar yükdaşıyıcıların təbiəti” mövzusunda namizədlik dissertasiyası mudafiə edib.
1979 dosent elmi adı alıb
1979 “Laylı AIIIBVI birləşmələri tipli qeyri-bircins yarımkeçiricilərdə elektron prosesləri” mövzusunda doktorluq dissertasiyası mudafiə edərək, Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru
alimlik dərəcəsi alıb.
1981 professor elmi adı alıb

ƏMƏK FƏALİYYƏTİ:

1963-1968 Bakı Dövlət Universitetində Fizika fakültəsinin tələbəsi

1968-1969 Azərbaycan EA Fizika İnstitutunda kiçik elmi işçi

1969-1972 SSRİ EA Fizika-Texnika İnstitutunda aspirant

1972-1975 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində assistent

1975-1979 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində baş müəllim

1979-1981 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində dosent

1981-1988 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində professor

1988-1989 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində dekan

1989-1992 Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsində professor; eyni zamanda “Bərk cisim elektronikası” elmi-tədqiqat laboratoriyasının elmi rəhbəri və baş elmi işçisi

1992-1993 Bakı Dövlət Universitetinin Fiziki elektronika kafedrasında kafedra müdiri, professor; eyni zamanda “Bərk cisim elektronikası” elmi-tədqiqat laboratoriyasının elmi rəhbəri və baş elmi işçisi

1993-2000 Azərbaycan Respublikasi Təhsil Nazirliyində Nazir müavini, nazir əvəzi; eyni zamanda Bakı Dövlət Universitetinin Fiziki elektronika kafedrasında kafedra müdiri

2000-dən Bakı Dövlət Universitetinin Fiziki elektronika kafedrasında kafedra müdiri, professor

HANSI FƏNLƏR ÜZRƏ DƏRSLƏR APARIR

Ümumi fizika,

Bərk cisim elektronikası,

Optoelektronika

Optoelektron cihaz, qurğu və sistemləri

ELMİ YARADICILIĞI

351 elmi əsərin müəllifidir

5 kitabin (ali məktəblər üçün dərslik və dərs vəsaitinin) müəllifidir

2 patentin (ixtiranın) müəllifidir

KADR HAZIRLIĞI SAHƏSİNDƏ FƏALİYYƏTİ

15 magistrə elmi rəhbər olub,

30 elmlər namizədinə (fizika üzrə fəlsəfə doktoruna) elmi rəhbər olub

6 elmlər doktoruna elmi məsləhətçi olub.

ELMİ FƏALİYYƏT SAHƏSİ

Müxtəlif tip qismən nizamsız yarımkeçiricilərdə (kristallarda və nazik təbəqələrdə,) eləcə də onların əsasındakı kontakt strukturlarında elektron proseslərinin xüsusiyyətlərinin və bu proseslərə həmin materiallardakı nizamsızlıqların təsiri mexanizminin öyrənilməsi

MÜKAFATLARI VƏ TƏLTIFLƏRI HAQQINDA

1977 Elm və texnika sahəsində “Komsomol mükafatı laureatı”

1993 Elm sahəsində “Beynəlxalq Soros Fondu Mükafatı laureatı”

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

Beynəlxalq səviyyəli müxtəlif elmi konfrans və simpoziumlarda 65 məruzəsi dinlənilib.

O cümlədən:

1971, 1975, 1977, 1981, 1989 “Bərk cisimlərdə plazma və elektrik dayanıqsızlıqları” Beynəlxalq Elmi Simpozium (Litva, Vilnüs),

1973 “Elektrolüminessensiya və onun tətbiqləri” Beynəlxalq simpozium (Rusiya Federasiyasi, Stavropol),

1973 “Dielektrik elektronikasının problemləri” Beynəlxalq Konfrans (Özbəkistan, Daşkənd),

2000, 2002, 2004, 2006, 2008 “Bərk cisim elektronikası və mikroelektronikanin aktual problemləri” Beynəlxalq Elmi-Texniki Konfrans (Rusiya Federasiyası, Taqanroq),

2004, 2006 “Opto-, nanoelektronika, nanotexnologiya və mikrosistemlər” Beynəlxalq Konfrans (Rusiya Federasiyası, Ulyanovsk) ,

2000, 2002, 2004, 2006, “Fotoelektronika və gecəgörmə cihazları” Beynəlxalq Elmi-Texniki 2008, 2010, 2012 Konfrans (Rusiya Federasiyası Moskva),

2002, 2004, 2006,2010 “Energetikanın Texniki və Fiziki Problemləri” Beynəlxalq Elmi Konfrans (Azərbaycan-Bakı, İran-Təbriz, Türkiyə-Ankara),

2005 “Fizika-2005” Beynəlxalq Elmi Konfransı (Azərbaycan-Bakı),

2004, 2005, 2006, 2007, Materialşünaslıq üzrə Beynəlxalq Simpozium (Fransa, Strasburq),

2008, 2009, 2010, 2011

2007 “Yarımkeçiricilərdə elektron və fonon prosesləri” Beynəlxalq Elmi Konfrans (Azərbaycan-Bakı)

2008 “V Fizikanın aktual problemləri” Beynəlxalq Elmi konfransı (Azərbaycan, Bakı)

2009 BDU-nun 90 illiyinə həsr olunmuş Beynəlxalq Elmi konfransı (Azərbaycan, Bakı)

2010 Avropa materialşünaslıq cəmiyyətinin Beynəlxalq Elmi konfransı (Polşa, Varşava)

TƏDQİQAT SAHƏSİ

Qismən nizamsız yarımkeçirici kristallarda və nazik təbəqələrdə, eləcə də onların əsasındakı kontakt strukturlarında elektron prosesləri

Elmİ əsərlərİ

1971-2013-cü illər ərzində 351 elmi əsər – “Физика и техника полупроводников” -65 (RF), “Оптика и спектроскопия”-1 (RF), “Микроэлектроника”-1 (RF), “Прикладная физика” -12(RF), “Неорганические материалы”-20 (RF), “Высокомолекулярные соединения” -1(RF), “Журнал физической химии”-1 (RF), Электронная обработка материалов-1 (RF), «Physicа Status Solidi»-6 (Almaniya), «Japan Journal of Applied Physics»-3 (Yaponiya), «Thin Solid films» -3(İngiltərə), “Journal of Optoelectronics And Advanced Materials” -3(Rumıniya), Proc. SPİE -9(ABŞ), “Доклады НАН Азербайджана” -28(Azərbaycan), “Известия АН Азербайджана”-20 (Azərbaycan), “Journal of Physics”-10 (Azərbaycan), “Bakı Universitetinin xəbərləri” -8 (Azərbaycan), Проблемы Энергетики-6 (Azərbaycan), jurnallarında.

SON 10 İLDƏ ÇAP OLUNMUŞ ƏN MÜHÜM SEÇİLMİŞ ƏSƏRLƏRİ

  1. n-InSe<NTE>/n-CuInSe2 izotip heterokeçidlərin elektrik xassələri. Проблемы энергетики, 2004, № 2, с.37-44.
  2. Elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınmış In2O3/Cd1-xZnxSe/CdSe1-ySy heterostrukturları əsasında günəş çeviriciləri. Проблемы энергетики, 2004, № 1, с.64-70
  3. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış indium selen monokristallarında volt-amper xarakteristikasının xüsusiyyətləri. Известия НАНА, сер.ФМ и ТН, 2004, XXIV, с.75-80
  4. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış indium selen və qallium selen monokristallarının fotolüminüssensiyası. Неорганические материалы. 2004, Т.40, № 6, с.660-662
  5. Laylı А3В6 birləşmələrinin monokristallarının fotolüminessensiyasına nadir torpaq elementləri ilə aşqarlamanın təsiri mexanizminə dair. Прикладная физика, 2004, №5. с.74-78
  6. İndium selen birləşməsi tipli layli kristallarda İQ fotohəssaslıgın elektrik sahəsi ilə sensibilizə olunması. Прикладная физика, 2004, № 5, с.81-85.
  7. CdSeS təbəqələrində mənfi İQ oblastindakı funksional imkanları. Прикладная физика, 2004, № 3, с.94-97
  8. Sulu məhluldan çökdürülmüş Cd1-xZnxSe təbəqələrinin spektrin İQ oblastindaki funksional imkanları. Прикладная физика, 2004, № 4, с.84-89.
  9. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış indium selen monokristallarında elektrik dayanıqsızlıqlarının xüsusiyyətləri. Известия НАНА, 2005, Т.25, № 5, с.73-77
  10. Elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə Cd1-xZnxS1-ySey təbəq ələrinin alınması. Известия НАНА, 2005, Т.25, № 2, с.88-92.
  11. NTE ilə aşqarlanmanın laylı А3В6 birləşmələrinin kristallarında ceviricilik effektinə təsiri. Известия НАНА, 2005. Т.25, № 4, с.29-35.
  12. Elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınmış p-Si/Cd1-xZnxS heterokeçidinin fotoelektrik xassələri. Thin Solid Films. 2005. V.48, pp.388-391
  13. Kimyəvi çökdürülmüş CdSeТе nazik təbəqələrində fotokeciriciliyin relaksasiyası. AMEA-nın Xəbərləri, fizika-riyaziyyat və texnika elmləri seriyası, Bakı, 2006, № 2, c.XXVI, s.95-98
  14. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış p-GaSe monokristallarında fotokeçiriciliyin sensibilizasiyası. Bakı Universitetinin Xəbərləri. Fiz-riy.elmləri seriyasi, 2006, №3, s.151-156.
  15. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış günəş energetikası və optoelektronika üçün effektiv p-GaSe materiallarının fotokeçiriciliyi. Проблемы энергетики, 2006, №3-4, с.39-44.
  16. p-GaSe<Dy> monokristallarının elektrolüminessensiyası. Физика, 2006, № 3, с.8-11.
  17. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlamanın InSe monokristallarının elektrik xassələrinə təsiri. Неорганические материалы, 2006, Т.42, № 9, с.1-5.
  18. Elektrokimyəvi üsulla alınmış p-Si/Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçid günəş elementlərinin tədqiqi. Thin Solid Films. 2006, v.511-512, p.140-142
  19. Mo/CdS1-xSex əsasında hazırlanmış İQ fotoqəbuledicilərinin parametr və xarakteristikalarının stabillik dərəcəsinin artırılması haqqında. Прикладная физика, 2006, № 5, с.82-86.
  20. Elektrokimyəvi çökdürülmüş SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe günəş elementlərinin elektrik və fotoelektrik xassələri,. Физика и техника полупроводников (ФТП), 2006, Т.40, в.12, с.1476-1478.
  21. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış laylı indium selenid kristallarının ilkin və sensibilizə olunmuş İQ fotohəssaslığına təsiri. Прикладная физика, 2006, № 2, с.62-66.
  22. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış qallium selenid monokristallarında statik VAX-nın xüsusiyyətləri. Докл.АНАН. 2006. Т. ЛХЫЫ. №5-6. с.55-62.
  23. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış А3В6 monokristallarının laylı quruluşlu kristallarında elektrik və lüminessensiya dayaniqsızlıqları., 2007, Т.13, №4, с.136-139.
  24. In2O3/Cd0.4Zn0.6S0.9Se0.1/CdTe heterokeçid günəş elementlərində termik emal effektləri. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2007, v.1, № 9, р.480-483
  25. Elektrokimyəvi çökdürülmüş Glass/SnO2/CuInSe2/Cd1-xZnxS1-ySey/ZnO nazik təbəqəli günəş elementlərinin tədqiqi. Japanese journal of Applied Physics, 2007, v.46, № 11, p.7359-7361
  26. n-InSe<Dy>/n-CuInSe2 izotip heterokeçidlərinin görünən və İQ oblastlarinda fotoelektrik xassələri. Прикладная физика, 2007, № 1, с.107-110.
  27. Məhluldan çökdürülmüş CdSeTe nazik təbəqələrində rekombinasiya prosesləri. Неорганические материалы, 2007, Т.43, № 3, с.281-283.
  28. Nazik Cd1-xZnxS1-ySey təbəqələrində çeviricilik effekti, Journal of Pysics, Azerbaijan.2008,XIV,№ 3, s.107-108
  29. Təmiz və NTE ilə aşqarlanmış- GaSe kristallarının elektrik keçiriciliyi. Неорганические материалы, 2009,T-45,№7,c.785-789
  30. Lantanoidlərlə aşqarlanmış AIIIBVI birləşmələri kristallarında elektrolümenessensiyanın xüsusiyyətləri, Bakı Universitetinin Xəbərləri, 20010, ,№ 1, s.121-130
  31. Qallium monoselenidi kristallarında işığın sərbəst yükdaşıyıcıların yüyürüklüyünə təsiri, Journal of Pysics, Azerbaijan.2011, ,№ 2, p.51-57
  32. Qallium monoselenidi kristallarında sərbəst yükdaşıyıcıların yüyürüklüyünün elektrik sahəsindən asılılığı haqqında, Физика и техника полупроводников. 2012, T-46, в6, c.751-755
  33. İndium selen monokristallarında elektrik sahəsinin məxsusi fotokeçiriciliyinin kinetikasına təsiri. Неорганические материалы, 2012, Т.48, в 8, с.892-896.
  34. Temperaturun və nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmanın indium monoselenid kristallarında yükdaşıyıcıların yürüklüyünə təsiri, Физика и техника полупроводников. 2013,T-47, в6,c.751-755
  35. Elektrik sahəsinin InSe və InSe(Dy) kristallarının elektrik keçiriciliyinə təsiri, Неорганические материалы, 2012, Т.48, в 8, с.892-896.
  36. İndium monoselenidi kristallarında temperature və nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmanın yükdaşıyıcıların yüryürüklüyünə təsiri, ФТП, 2013, T-47, в.8, c.1009-1013.
  37. Elektirk sahəsinin InSe və InSe<Dy> kristallarının elektrik keçiriciliyinə təsiri, Неорганические материалы, 2013, Т.49, №12, с.1277-1284
  38. Qallium monoselenidi kristallarında məxsusi fotokeçiriciliyin xüsusiyyətləri məsələsinə dair, Journal of Qafqaz University-Physics, 2013, v.1, issue 1, p.16-27.
  39. Laylı quruluşlu AIIIBVI kristallarında temperatur və nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmanın elektrofiziki parametrlərə təsiri, Azerbaijan Journal of Physics, 2013, N 1, p.17-27

«İSİ» JURNALLARINDA DƏRC OLUNMUŞ MƏQALƏLƏR

  1. Selendə tollium aşqarlarının oksigenlə qarşılıqlı təsiri. Журнал физической химии (ЖФХ), 1968, T. XLII, №7, с.1680-1683.
  2. Güclü elektrik sahəsində germaniumda qeyri-əsas yükdaşıyıcıların yürüklüyünün ölçülməsinin xüsusiyyətləri. Физика и техника полупроводников (ФТП), 1971, Т.5, №8, с.1563-1567.
  3. Güclü elektron-deşik qarşiliqli təsiri sərflərində germaniumda qeyr-əsas yükdaşiyicilarının qızmasının tədqiqi. ФТП, 1971, Т.5, №10, с.1969-1975.
  4. Germaniumda yükdaşiyiciların qızması zamanı termofotoelektrik effekt. ФТП, 1972, Т.6, № 2, с.353-359.
  5. İmpuls elektrik sahəsində germaniumda əsas yükdaşıyıcıların qeyri-əsas yükdaşıyıcıların yürüklüyünə təsiri. ФТП, 1972, Т. 6, №3, с.447-481.
  6. Güclü İYT elektrik sahələrində güclü elektron-deşik qarşılıqlı təsiri zamanı germaniumda qeyri-əsas deşiklərin yürüklüyünün dəyişməsi. ФТП, 1972, Т. 6, №3, с.577-578.
  7. İYT sahədə germniumda yükdaşiyiciların qızmarlaşması zamanı bircins yarimkeşiricidə termo-e.h.q.-nin yaranması (Benediks effekti). ФТП, 1972, Т. 6, №5, с.915-920.
  8. İYT sahədə germniumda qeyri-əsas yükdaşiyiciların qızmarlaşması zamanı Benediks effekti. ФТП, 1972, Т.6, № 7, с.1354-1358.
  9. GaSe tipli yarımkeçiricilər əsasinda S elementləri. Phys.Stat.Solidi (a), 1973, vol. 15, K.33-35.
  10. p-GaSe-də çeviricilik effekti haqqında. ФТП, 1973, Т.7, №9, с.1830-1833.
  11. İYT elektrik sahəsində р-GaSe-nin elektrik keçiriciliyinin dəyişməsi. ФТП, 1973, Т.7, №10, с.2030-2031.
  12. GaSe-də İYT sahədə yükdaşıyıcıların qızmarlaşması zamanı yaranan termo e.h.q. ФТП, 1974, Т.8, №5, с.869-873.
  13. Elektron tip indium seleniddə güclü İYT elektrik sahəsində yaranan qizmar yükdaşıyıcılar. ФТП, 1974, Т. 8, с.192-195.
  14. InSe-də çeviricilik effekti. ФТП, 1974, Т. 8, № 11, с.2283.
  15. InSe yarımkeçirici birləşməsində İYT sahədə yükdaşiyiciların qızmarlaşması hesabina yaranan termo e.h.q. ФТП, 1974, Т. 8, №12, с.2311-2315.
  16. А3В6 tipli birləşmələrin layli yarımkeçiricilərində çeviricilik effektinin mexanizmi haqqında Микроэлектроника, 1975, Т. 4, №5, с.465-467.
  17. n-InSe monokristallarinda güclü İYT elektrik sahəsi hesabına yaranan qızmar yükdaşiyiciların tədqiqi. ФТП, 1975, Т. 9, №8, с.1561-1564.
  18. İnduum selenid monokristallarının elektrolüminessensiyası. Оптика и спектроскопия, 1975, Т.38, №5, с.952-955.
  19. Laylı GaS yarımkeçiriciləri əsasinda elektrolüminisent çeviriciləri. ФТП, 1975, Т.9, №5, с.980-982.
  20. Yüksək omlu qallium sulfid monokristallarında elektronların injeksiyası və elektron tutma mərkəzləri. ФТП, 1975, Т.9, №7, с.1429-1431.
  21. Yüksək omlu n-InSe monokristallarında foto- və elektrik yaddaş hadisələri. ФТП, 1975, Т.9, № 9, с.1690-1693.
  22. Elektron tip indiun selenid monokristallarında anomal fotokeçiricilik. ФТП, 1975, Т.9, №10, с. 1970-1975.
  23. р-GaSe-də fotoelektrik yaddaş effekti. ФТП, 1975, Т.9, №11, с.2135-2138.
  24. İndium selenid monokristallarında mənfi qalıq . ФТП, 1975, Т.9, №12, с.2382-2384.
  25. n-InSe laylı yarımkeçiricilərinin VAX-nın tədqiqi. ФТП, 1976, Т.10, №1, с.76-80.
  26. Aşqar həyəcanlaşmada InSe mənfi fotokeçiricilik və fotocərəyanın sönməsi . ФТП, 1976, Т.10, №1, с.81-84.
  27. Elektrik sahəsinin n-InSe monokristallrının anomal fotokeçiriciliyinin təsiri. ФТП, 1976, Т.10, №5, с.980-981.
  28. Termik emal olunmuş germanium-silisium ərintilərinin monokristallarında qızmar yükdaşıyıcıların termo e.h.q.. ФТП, 1976, Т.10, №7, с.1369-1373.
  29. İnduim selenid monokristallarında elektrik impulslarının generasiyası. ФТП, 1976, Т.10, № 10, с.1973-1975.
  30. р-GaSe yüksək omlu monokristallarında elektrik sahəsi ilə stimullaşdırılmış keçiricilik. ФТП, 1976, Т.10, №13, с.2299-2303.
  31. Termik emal olunmuş Ge1-xSix monokristallarında güclü İYT elektrik sahəsi ilə yükdaşıyıcıların qızmarlaşdırılması. ФТП, 1977, Т.11, №1, с.65-68.
  32. n-tip Ge1-xSix-də güclü İYT elektrik sahəsi ilə yaradılan qızmar elektronlar. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1005.
  33. Ge1-xSix monokristallarında yükdaşıyıcıların qızmarlaşması hesabina yaranan termo foto e.h.q. ФТП, 1977, Т. 11, №5, с.1006.
  34. p-tip Ge1-xSix monokristallarının İYT elektrik sahəsində yükdaşıyıcıların qızmarlaşması. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.1006.
  35. İndium selen monokristallarında anomal fotokeçiricilik haqqında. ФТП, 1977, Т.11, №2, с.393-396.
  36. İndium selenid monokristallarında İQ işıqla induksiya olunmuş cərəyanın ossilyasiyası. ФТП, 1977, Т.11, №5, с.899-903.
  37. İndium selenid monokristallarında alçaq tezlikli czrzyanın ossilyasiyası haqqında. ФТП, 1977, Т.11, №10, с.2026-2029.
  38. Gallium selenid monokristallarında elektrik sahəsi hesabina induksiyalanmış mənfi fotokeçiricilik. ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1074-1079.
  39. GaS monokristallarının elektrolüminessensiyası haqqında. ФТП, 1978, Т.12, №6, с.1237.
  40. GaS monokristallarında qalıq fotokeçiriciliyinin İQ sönməsi. ФТП, 1978, Т.12, №6, с. 1237.
  41. p-GaSe monokristallarinda mənfi qalıq fotokeçiricilik. ФТП, 1978, Т.12, №9, с.1759-1766.
  42. GaSe-də məxsusi işıqlanma ilə induksiyalanmış aşqar fotokeçiricilik. ФТП, 1980, Т.14, №1, с.164-168.
  43. Фототриггерный эффект в монокристаллах селенидов индия и галлия. ФТП, 1980, Т.14, №4, с.749-753.
  44. Температурно-электрическая неустойчивость и низкочастотные колебания тока в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1980, Т.14, №4, с.754,
  45. Фотопроводимость монокристаллов n-CuInSe2. ФТП, 1980, Т.14, №5, с.892-896.
  46. Индуцированная собственной подсветкой фотопроводимость в монокристаллах селенида индия со свойством остаточной фотопроводимости. ФТП, 1981, Т.15, №7, с. 1255-1258.
  47. Долговременно-релаксирующая проводимость, возбужденная электрическим полем в монокристаллах селенидов галлия и индия. ФТП, 1981, Т.15, №1, с.113-119.
  48. Разогрев носителей тока в монокристаллах CuInSe2 электрическим полем СВЧ. ФТП, 1981, Т.15, №2, с.258-262.
  49. Индуцированный инжекцией примесный пробой в монокристаллах селенида галлия и обусловленные с ним низкочастотные осцилляции тока. ФТП, 1981, Т.15, №3, с.453-458.
  50. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-GaSe и n-CuInSe. ФТП, 1981, Т.15, №3, с.605.
  51. Зависимость электропроводности монокристаллов твердых растворов p-CdхHg1-хTe от напряженности сильного электрического поля СВЧ. ФТП, 1981, Т.15, №5, с.897-901.
  52. Влияние электронного облучения на разогрев носителей тока электрическим полем в монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1981, Т.15, №10, с.1989-1993.
  53. Край полосы поглощения монокристаллов CuInSe2. ФТП, 1981, Т.15, №11, с.2245-2247.
  54. Электрические и фотоэлектрические свойства изотипных гетеропереходовn-InSe/n-CuInSe2. ФТП, 1982, Т.16, №2, с.353-355.
  55. Электроиндуцированная примесная фотопроводимость в монокристаллах InSe со стимулированной электрическим полем отрицательной фотопроводимостью и остаточной проводимостью. ФТП, 1982, Т.16, №5, с.769-772.
  56. Влияние поперечного магнитного поля на фотопроводимость монокристаллов твердых растворов p-CdxHg1-xTe. ФТП, 1982, Т.16, №5, с.880-882.
  57. Индуцированная электрическим полем примесная фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия. ФТП, 1982, Т.16, №6, с.953-958.
  58. ВАХ высокоомных монокристаллов слоистых соединений А3В6. ФТП, 1982, Т.16, №6, с.993-998.
  59. Остаточное оптическое гашение собственной фотопроводимости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, Т.16, № 8, с.1523.
  60. Длинновременно релаксирующая отрицательная фотопроводимость в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1982, Т.16, № 8, с.1525.
  61. Термоэдс горячих носителей тока, создаваемая сильным электрическим полем СВЧ в облученных быстрыми электронами монокристаллах Ge1-xSix. ФТП, 1982, Т.16, №10, с.1828-1830.
  62. Эффект фотоэлектрической утомляемости в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1983, Т.17, №4, с.761.
  63. О влиянии флуктуации состава на фотоэлектрические свойства монокристаллов твердого раствора CdxHg1-xTe. ФТП, 1984, Т.18, №6, с.1085-1086.
  64. Effect of gadolinium impurities on injection-induced impurity photoconductivity in InSe single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1985. vol. 92, p.k77-80.
  65. Влияние легирования на оптическое гашение инжекционного тока в монокристаллах селенида индия. ФТП, 1986, Т.20, №7, с.1347.
  66. Влияние неоднородности состава на электрические и оптические свойства монокристаллов CdxHg1-xTe (0.19<х<0.30). Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1987, Т.23, №11, с.1835-1838.
  67. The influence of gadolinium doping on the switching effect in indium selenide single crystals. Phys. Stat. Sol. (a), 1989. vol. 116, p.k173-177.
  68. Effect of doping on exciton states in InSe and GaSe lamellar semiconductors. Phys. Stat. Sol. (a), 1991, vol. 128, p.235-242.
  69. Электрофизические характеристики облученных g-квантами монокристаллов с 0.24<Х<0.40. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1991, Т.27, №.4, с.696-698.
  70. Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe. ФТП, 1991, Т.25, №6, с.983-989,
  71. «Переходная» релаксация темнового тока в чистых и легированных кристаллах селенида индия. Неорганические материалы. 1994, Т.30, № 3, с.339-341.
  72. Примесный фотоэффект в частично-неупорядоченных кристаллах InSe, легированного Dy. Неорганические материалы. 1994, Т.30, № 7, с.883-886.
  73. Накопление слабых световых сигналов и спектральная память в монокристаллах InSe:Dy. Неорганические материалы. 1995, Т.31, № 7, с.896-898.
  74. Долговременная изотермическая релаксация темнового электросопротивления монокристаллов селенида индия, легированного диспрозием. Неорганические материалы, 1995, Т.31, № 8, с.1020-1022.
  75. Об осцилляции проводимости в монокристаллах InSe<Dy>. Неорганические материалы, 1996, Т.32, № 12, с.1446-1448.
  76. Собственные дефекты и примеси диспрозия в монокристаллах GaSe. Неорганические материалы. 1998, Т.34, № 3, с.271-273.
  77. Влияние легирования диспрозием на фотоэлектрические свойства монокристаллов селенида галлия. Неорганические материалы. 1999, Т.35, № 4, с.410-412,
  78. Фотопроводимость, осажденных из раствора пленок Cd1-xZnxSe в ИК области. Прикладная физика. 2000, Т.7, №6, с.56-61.
  79. Фотоприемники ИК-излучения на основе пленок CdS1-xSex осажденных из раствора. Прикладная физика, 2000, Т.7, №6, с.63-68
  80. Laylı indium selen kristallarında elektrik sahəsi ilə sensibilizə olunmuş IQ fotokeçiricilik, SPIE,2002,v5126,p.381-385
  81. Photoelectric properties of films A2B2C6, deposited from a solution, Proc. оf SPIE. 2004. Vol. 5834. p.254-259.
  82. Photoelectric properties of isotype heterocundoctions n-InSe<REE> in visible and near IR-region, Proceedings of SPIE. 2004. V.5834. p. 260-263.
  83. The effect of doping by rare earth elements on initial and sensibilized IR-photosen­sivity of layered Indium selenide crystals, Proceedings of SPIE. 2004. V.5834. p. 299-303.
  84. Photodetectors for visible and near infrared with controlled sensitivity on the basis of p-GaSe single crystals doped by rare-earth elements, Proc. Of SPIE. 2006, Vol. 6636. p-66360G-1-66360G-4
  85. Фотолюминесценция монокристаллов InSe и GaSe, легированных редкоземельными элементами. Неорганические материалы. 2004, Т.40, № 6, с.660-662.
  86. CdS1-xSex təbəqələrində mənfi infraqırmızı fotokeciricilik. Прикладная физика. 2004, №3 с.94-97.
  87. Sulu məhluldan çökdürülmüş Cd1-xZnxSe təbəqələrinin spektrin İQ oblastindaki funksional imkanları. Прикладная физика. 2004, №4 с.84-89.
  88. Laylı А3В6 birləşmələrinin monokristallarının fotolüminessensiyasına nadir torpaq elementləri ilə aşqarlamanın təsiri mexanizminə dair. Прикладная физика, 2004, №5. с.74-78
  89. İndium selen birləşməsi tipli layli kristallarda İQ fotohəssaslıgın elektrik sahəsi ilə sensibilizə olunması. Прикладная физика, 2004, № 5, с.81-85
  90. Elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə alınmış n-Si/n-Cd1-xZnxS heterokeçidlərinin fotoelektrik xassələri. Thin Solid Films, 2005, V.480-481, p.388-391.
  91. Влияние легирования РЗЭ на электрические свойства монокристаллов InSe. Неорганические материалы. 2006, Т. 42, №9, с. 1035-1039.
  92. Elektrokimyəvi üsulla alınmış p-Si/Cd1-xZnxS1-ySey heterokeçid günəş elementlərinin tədqiqi. Thin Solid Films. 2006, v.511-512, p.140-142 .
  93. Mo/CdS1-xSex əsasında hazırlanmış İQ fotoqəbuledicilərinin parametr və xarakteristikalarının stabillik dərəcəsinin artırılması haqqında. Прикладная физика, 2006, № 5, с.82-86
  94. Elektrokimyəvi çökdürülmüş SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe günəş elementlərinin elektrik və fotoelektrik xassələri,. Физика и техника полупроводников (ФТП), 2006, Т.40, в.12, с.1476-1478.
  95. Nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmış laylı indium selenid kristallarının ilkin və sensibilizə olunmuş İQ fotohəssaslığına təsiri. Прикладная физика, 2006, № 2, с.62-66.
  96. n-InSe<Dy>/n-CuInSe2 izotip heterokeçidlərinin görünən və İQ oblastlarinda fotoelektrik xassələri. Прикладная физика, 2007, № 1, с.107-110.
  97. Məhluldan çökdürülmüş CdSeTe nazik təbəqələrində rekombinasiya prosesləri. Неорганические материалы, 2007, Т.43, № 3, с.281-283.
  98. In2O3/Cd0.4Zn0.6S0.9Se0.1/CdTe heterokeçid günəş elementlərində termik emal effektləri. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2007, v.1, № 9, р.480-483
  99. Elektrokimyəvi çökdürülmüş Glass/SnO2/CuInSe2/Cd1-xZnxS1-ySey/ZnO nazik təbəqəli günəş elementlərinin tədqiqi. Japanese journal of Applied Physics, 2007, v.46, № 11, p.7359-7361
  100. CdSe1-xTex təbəqələrinin spektrin İQ oblastında funksional imkanları. Прикладная физика, 2008, № 5, с.103-106.
  101. Yüksəkomlu təmiz və NTE ilə aşqarlanmış GaSe kristallarının keçiriciliyi. Неорганические материалы, 2009, Т.45, № 7, с.785-789
  102. Dielectric properties of nanokomposites on the bases on Copper Sulfide Nanoparticles and polymer matrix. Электронная обработка материалов, 2004, , p.105-108
  103. Qallium monoselenidi kristallarında yükdaşıyıcıların yüyürüklüyünün elektrik sahəsində asılılığı haqqında, ФТП, 2012, T-46, в.6, c.751-755.
  104. Təmiz və qadaliniumla aşqarlanmış p-GaSe kristallarında yükdaşıyıcıların yüyürüklüyünün temperaturdan asılığı, Неорганические материалы, 2012, Т.48, в.6, с.649-653.
  105. İndium monoselenidi kristallarında temperature və nadir torpaq elementləri ilə aşqarlanmanın yükdaşıyıcıların yüryürüklüyünə təsiri, ФТП, 2013, T-47, в.8, c.1009-1013.
    Elektirk sahəsinin InSe və InSe<Dy> kristallarının elektrik keçiriciliyinə təsiri, Неорганические материалы, 2013, Т.49, №12, с.1277-1284

İXTİRALARI

  1. Fotoelektrik işıq qəbuledicisi, MŞ №455679 (1972-1974)
  2. İndium selen əsasında lümenessensiya materialı. MŞ. №475036 a (1989)


KİTABLARI

  1. “Bərk cisim elektronikası”, 2004, Bakı, “Təhsil” – ali məktəblər üçün dərs vəsaiti. -136 s
  2. “Optoelektronika”, 2005, Bakı, “Maarif” – ali məktəblər üçün dərslik -410
  3. “Fiziki elektronikanın tarixi və metodologiyası”, 2008, Bakı, “Təhsil”, – ali məktəblər üçün dərs vəsaiti. -164 s.
  4. Ə.Ş.Abdinov, V.H.Səfərov, Elektron texnikasının materialları və nanotexnologiyanın əsasları, Bakı, “Təhsil”, -184 s
  5. Ə.Ş.Abdinov, İ.S.Həsənov, T.X.Hüseynov, Elektron cihazları və emissiya elektronikasının əsasları,2011,Bakı, “Təhsil”, -358 s

METODİKİ VƏSAİTLƏRİ

  1. “Fiziki elektronika” istiqaməti üzrə bakalavr pilləsi üzrə fənn proqramları toplusu, 2007, Bakı, “Təhsil”,34 proqram-62 səh.
  2. “Fiziki elektronika” istiqaməti üzrə magistr pilləsi üzrə fənn proqramları toplusu, 2007, Bakı, “Təhsil”,25 proqram - 45 səh.
Bookmark and Share